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3D-IC可靠性随温度升高而降低


3D-IC设计的可靠性取决于工程团队控制热量的能力,热量会显著降低性能并加速电路老化。虽然至少从28nm开始,热就一直是半导体设计中的问题,但在3D封装中处理热问题更具挑战性,因为电迁移可能会在多个层面上扩散到多个芯片。“是…»阅读更多

准备,设置,开始:用3D-IC超越摩尔定律


由Anthony Mastroianni和Gordon Allan设计,西门子EDA 3D ic是异构先进封装技术到第三维度的一个令人兴奋和有前途的扩展。虽然还远未成为主流,但3D IC的时代即将到来,因为芯片标准化的努力和支持工具的发展开始使3D IC对更多的玩家(无论大小)和产品都是可行的和有利可图的。»阅读更多

3D-IC的计算电磁模拟挑战


当今半导体设计的创新主要由AI/ML、数据中心、自动驾驶汽车和电动汽车、5G/6G和物联网驱动。最近开发的2.5和3D-IC硅封装技术已经超越了上世纪90年代首次将数字、模拟和存储功能结合在一块芯片上的SoC技术。这些……»阅读更多

UCIe真的是通用的吗?


芯片正迅速成为克服摩尔定律减速的手段,但一个接口是否能够将它们全部连接在一起尚不清楚。通用芯片互连快车(Universal Chiplet Interconnect Express,简称UCIe)相信它会起作用,但一些业内人士仍然不相信。至少部分问题是互连标准从未真正完成。即使在今天,协议…»阅读更多

芯片功率分布建模在7nm以下变得至关重要


在每个新节点和3d - ic中,对soc中的功率分布建模变得越来越重要,其中涉及功率的容差要严格得多,任何错误都可能导致功能故障。在成熟的节点上,有更多的金属,电力问题仍然很少。但在高级节点上,芯片以更高的频率运行,仍然消耗相同或更大的功率……»阅读更多

解决复杂芯片中的热耦合问题


芯片和封装复杂性的上升导致热耦合器的比例增加,这可能会降低性能,缩短芯片的寿命,并影响芯片和系统的整体可靠性。热耦合本质上是两个设备之间的连接,如芯片和封装,或晶体管和衬底,其中热量从一个传递到另一个。如果不是……»阅读更多

先进芯片设计中的功率和热量平衡


电力和热量的使用是别人的问题。现在情况已经不同了,随着越来越多的设计迁移到更先进的工艺节点和不同类型的先进封装,问题正在蔓延。这种转变有很多原因。首先,导线直径变小,介质变薄,衬底变薄。电线的结垢需要更多的能量来驱动。»阅读更多

插入器信号完整性有什么不同?


为了在功率、性能、面积和成本方面取得优势,3D-IC架构将电子设计推向了新的极限。在过去的几十年里,硅集成技术和相关器件经历了令人印象深刻的发展。它们的发展鼓励了高性能计算、人工…»阅读更多

哪家铸造厂领先?视情况而定。


数十亿美元的代工领导权争夺战正变得越来越复杂,很难在任何时候确定哪家公司处于领先地位,因为需要权衡的因素太多了。这在很大程度上反映了前沿客户基础的变化,以及对特定领域设计的推动。过去,像苹果这样的公司,谷歌…»阅读更多

测试2.5D和3d - ic


分离的soc使芯片制造商能够在一个芯片中塞入比十字线大小的芯片更多的特性和功能。但正如西门子EDA的技术营销工程师Vidya Neerkundar所解释的那样,在一个封装中访问所有的模具或芯片存在挑战。新的IEEE 1838标准解决了这个问题,以及当2.5D和3d - ic在…»阅读更多

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