标签:选择性沉积

特定场地成分使用卢瑟福背散射谱获得的信息从周期性纳米结构
通过技术论文链接- 10月28日,2022 -评论:0

一个新的技术论文题为“area-selective沉积在纳米级模式的量化使用卢瑟福背散射谱”发表IMEC研究员和KU鲁汶。“我们现在只为纳米级模式的元素分析,数据采集是基于卢瑟福背散射谱(苏格兰皇家银行)。分析基于探测larg……»阅读更多

ASD的过程进行了原位蚀刻室
通过技术论文链接2022年5月- 06 -评论:0

新的研究论文题为“Plasma-based区域选择性沉积减少极端紫外线抵制defectivity和过程改进窗”从电话技术中心,美洲和IBM的研究。文摘:“极端紫外线(EUV)光刻技术克服了重大挑战的逻辑扩展成为一个基本前提的路线图。然而,它仍然受限于stocha……»阅读更多

铜互联扩展到2海里
通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

新节点、材料、记忆
通过埃德·斯珀林2018年2月- 15(-评论:0

艾莉Yieh,先进的产品技术发展的副总裁和总经理在[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”),和公司的负责人Maydan技术中心,坐下来与半导体工程讨论挑战,改变和解决方案在高级节点和新的应用程序。以下是摘录的谈话。SE: w到底能走多远…»阅读更多

在光刻和面具
通过马克LaPedus2017年5月- 01 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“IMEC”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name = " x和…»阅读更多

Nano-Patterning能够拯救摩尔定律吗?
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:0

多年来,学术界已经探索了一种新颖的技术称为选择性沉积。然后,一年多前,英特尔带头,把技术从实验室到工厂在7或5 nm。今天,选择性沉积仍在研发,但势头越来越大。从英特尔和其他与研发资金,选择性沉积,有时被称为ALD-e……»阅读更多

ALD市场升温
通过马克LaPedus- 9月17日,2015 -评论:1

在转移到3 d NAND finFETs和其他设备架构,原子层沉积(ALD)在若干领域市场升温。应用材料,例如,最近搬到调整景观通过推出一个新的、高通量ALD的工具。一般来说,[getkc id = " 250 " kc_name =“退化”)是一个过程,沉积材料分层技术在原子层面,使薄和…»阅读更多

寻路超过10海里
通过波拉多伊8月- 10,2015 -评论:0

后高纵横比finFETs和更高的流动性(汞灯和III-V材料,该行业将横向纳米线,然后垂直纳米线晶体管,以及新隧道结场效应晶体管、自旋波架构─或为不同的应用程序的各种组合这些技术,报道一个Steegan, Imec过程技术的高级副总裁,在半导体西……»阅读更多

工厂问题7和5 nm
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:2

比赛向7纳米逻辑节点在7月正式拉开帷幕,当IBM Research, GlobalFoundries和三星共同推出公司声称是什么行业的第一个7纳米测试芯片功能的晶体管。当然,他们并不孤单。英特尔和台积电也分别赛车7纳米技术发展。在研发实验室,芯片制造商也正在研究技术f…»阅读更多

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