以惊人的数量的颠覆性的新技术正在开发中。
后高纵横比finFETs和更高的流动性(汞灯和III-V材料,该行业将横向纳米线,然后垂直纳米线晶体管,以及新隧道结场效应晶体管、自旋波架构─或为不同的应用程序的各种组合这些技术,报道一个Steegan, Imec过程技术的高级副总裁,在2015年半导体西。分子间的科学顾问Raj适意的概述了一个类似的路线图。“扩展这些finFETs和纳米线需要高纵横比的结构和选择性沉积,“说适意的,注意那些慢过程也可能意味着更高的成本。
垂直纳米线。源和版权:Imec。
当然,很多这是早期筛查的研究机构,做他们应该做的事情─试图弄清楚怎么去5和3 nm设备。但它也是一个令人生畏的颠覆性改变在每一个新节点,许多年后,甚至除了问题EUV,钴互联和自组装单层膜,和内存的其他新技术和芯片堆叠的半导体。让我们希望出现一个清晰的路径来缩小潜在通路很快,因为有更多的选择比实际供应链能发展。“设备制造商正在研发支出只有10%的收入近年来,适意的指出。“我们需要一些革命性的低成本的方法来支持未来的节点。”
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