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标签:SAQP

用BDA方法预测SAQP节距
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

IBM TJ沃森研究中心和伦斯勒理工学院的研究人员发表了一篇题为“深度学习神经网络中的贝叶斯dropout近似:自对齐四重模式的分析”的新技术论文。在这里找到技术文件。2022年11月出版。开放获取。Scott D. Halle, Derren N. Dunn, Allen H. Gabor, Max O. Bloomfield和Mark Sh…»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

利用工艺建模增强自对准四重模式化过程中的器件均匀性
通过蒂莫西·杨- 2021年11月18日-评论:0

尽管人们对EUV光刻越来越感兴趣，但自对准四重图案(SAQP)在图案一致性、简单性和成本方面仍然具有许多技术优势。这尤其适用于非常简单和周期性的模式，如线和空间模式或孔阵列。SAQP最大的挑战是固有的不对称掩模形状。这种不对称会产生结构性的…»阅读更多

建立预测和准确的3D过程模型
通过Pradeep Nanja- 2020年9月21日-评论:0

工艺工程师和集成商可以使用虚拟工艺建模来测试替代工艺方案和架构，而无需依赖基于晶圆的测试。构建准确的流程模型的一个重要方面是确保模型经过校准。拥有一个经过校准的模型是很重要的，因为它向过程集成商和工程师提供了保证，模型将重新反射…»阅读更多

门全能的计量挑战
通过马克LaPedus- 2020年4月16日-评论:3

对于那些致力于3nm及以上全门fet工艺的代工厂来说，计量是一个主要的挑战。计量学是测量和表征设备结构的艺术。在每一个新的节点上，测量和表征器件中的结构变得更加困难和昂贵，而新型晶体管的引入使这变得更加困难。电动汽车……»阅读更多

利用半导体制程窗口优化控制变异性
通过本杰明·文森特- 2019年7月1日-评论:0

为了确保半导体技术开发的成功，工艺工程师必须设置晶圆工艺参数的允许范围。必须控制可变性，以使最终制造的设备符合要求的规格。这些规格包括关键尺寸、电气性能要求和其他器件特性。预生产或增加生产Si wa…»阅读更多

用于下一代设备的光刻选项
通过马克LaPedus- 2019年4月18日-评论

芯片制造商正在提高极紫外(EUV)光刻技术，以实现7nm和/或5nm的高级逻辑，但EUV并不是唯一的光刻选择。一段时间以来，该行业一直致力于其他各种下一代光刻技术，包括新版本的EUV。每种技术都是不同的，针对不同的应用。今天有些人就在这里，w…»阅读更多

利用虚拟加工和先进工艺控制提高SAQP成品率
通过本杰明·文森特- 2019年3月25日-评论:0

高级逻辑扩展带来了一些困难的技术挑战，包括对高密度模式的要求。Imec最近遇到了这一挑战，他们致力于在7nm节点(相当于5nm铸造节点)上使用16nm半间距的Metal 2 (M2)线条图案。研究了自对齐四重模式(SAQP)作为极端Ul的替代路径。»阅读更多

虚拟制造和先进工艺控制提高了16nm半节距SAQP工艺评估的成品率
通过Coventor- 2019年3月25日-评论:0

本文利用虚拟制造技术对Imec 7nm节点(iN7)自对准四重图版(SAQP)集成方案进行了评估，该集成方案用于16nm半节距金属2线的形成。我们首先提出了用SAQP获得无缺陷M2线的技术挑战，然后提供了实现无缺陷M2线的解决方案»阅读更多

N7 FinFET自对准四重模式建模
通过Coventor- 2018年12月14日-评论:0

作者:Sylvain Baudot, Sofiane Guissi, Alexey P. Milenin, Joseph Ervin, Tom Schram (IMEC和covenor)在本文中，我们使用covenor SEMulator3D虚拟平台，基于过程流模拟建立了鳍节行走模型。模型中引入了翅片芯的锥角，与硅数据吻合较好。对各种自对齐四重模式过程的影响…»阅读更多

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