如何描述鳍音高走过7海里finFET的SAQP流程建模技术。
作者:Baudot, Sofiane Guissi,阿列克谢·Milenin汤姆Schram约瑟夫·欧文(IMEC和COVENTOR)
本文模型鳍球场走基于流程模拟使用Coventor SEMulator3D虚拟平台。鳍的锥角核心引入模型与硅提供良好的协议数据。对各种自对准的影响模式评估流程步骤4倍。腐蚀敏感模式密度是复制模型中,并提供有关翅片高度变异性的影响。
先进finFET技术使用自对准四模式(SAQP)来定义功能低于193纳米的分辨率浸没式光刻技术。7海里finFET的节点,一个24海里翅片间距是有针对性的,需要仔细调整SAQP参数以避免系统的音高变化(球场走)。鳍之间不平衡的空间导致不受欢迎的变化对后续蚀刻或沉积步骤。在本文中,我们提出一个方法来描述鳍音高走过的SAQP流程建模与SEMulator3D 7海里finFET技术。我们的目标是最小化场上散步,描述对翅片高度变异性的影响。在第二部分中,我们介绍了流程模拟和描述方法,以及关键参数影响场上行走。模型是应用于第三部分(A)优化鳍球场走假设一个理想的核心配置文件。锥形轮廓的影响在球场走了第三部分(B)和以硅为基准数据。模式在第三部分介绍了腐蚀剂(C)来模拟翅片高度可变性和描述沥青走的后果。
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