在高级模式

集团副总裁兼总经理Prabu拉贾的模式和包装集团应用材料与半导体工程,坐下来,讨论模式的趋势,选择过程和其他话题。拉贾也是一个研究员应用材料。以下是摘录的转换。

SE:从你的角度来说,最大的挑战是什么?

拉贾:现在有很多变化发生。你有晶体管,gate-all-around和其他东西。但是这个行业有一个路径。他们可以去finFETsgate-all-around或可以采取另一种路径。但模式似乎是最大的障碍现在我们听到的一切。这是因为EUV一直推迟。

SE:假设极端紫外线(EUV)光刻7点插入和/或5 nm。它会解决所有模式的问题吗吗?

拉贾:即使EUV进来,它可能被用于一个或两个。即使EUV进来,这不是行。只有削减和通过。如果你真的看整个模式市场,削减和通过市场也许只有总数的20%。剩下的80%是线条和休息。

SE:所以即使EUV,芯片制造商仍将需要实现一个流的传统多模式方案7海里,无论是线条/空间和其他部分的结构,对吧?

拉贾你仍然需要双模式和四模式。

SE:另一个挑战是什么?

拉贾:当你谈论传统模式,多模式现在似乎是最大的挑战。有很多问题。超越,当你去5或7 nm,覆盖成为一个更大的问题。层叠加变成一个大问题。不能与EUV解决。EUV将使细层。但当你有一层一层去,然后试着联系他们,这就变成了一个更大的问题。我们称之为边缘位置错误。有些人叫它对齐。有些人叫它覆盖。这似乎是下一个巨大的挑战。

SE:所以EUV可能解决解决问题,但它没有解决覆盖或能够使各种掩模层准确地在彼此之上。但很明显,这个行业希望EUV ?

拉贾行业:想让EUV发生。但是现在他们要挑战EUV工作。有成本问题。有问题和缺陷薄膜。它是没有准备好。

SE:很多人说EUV可以插入在7和/或5 nm。任何想法吗?

拉贾:7海里,在某些情况下,可能没有EUV的主要方法。他们也可能带来一个后备的7 nm-plus节点的方法。他们将对EUV测试几层。所以前进,他们可以使用EUV超过两个步骤。

SE: 5 nm芯片制造商可能需要EUV +一个多模式方案。假设EUV再次被延迟或不工作5海里。然后,行业谈论自对准八倍的模式(SAOP)。但SAOP也带来了巨大的覆盖问题可能不工作。然后会发生什么呢?

拉贾:当你超越SAQP SAOP说,客户现在开始看看可选路径。他们问:“我们能做些不同的事吗?你能提供更好的性能吗?与此同时,你能做少数量的步骤吗?“这就是我们进来。我们有新功能和材料。新功能包括如何去除材料选择性去除。你也有选择性沉积。这些可以改变他们的设计过程和减少更少的步骤。它也可以有一个显著的好处的对齐,间距行走和其他功能。

SE:现在,你正在谈论选择性去除和沉积过程。这些技术不会取代传统的光刻技术。但这些选择性技术如何改变?

拉贾:不同的是,该行业可以介绍新材料他们没有经验。介绍新材料时,需要将新的删除步骤和清洁步骤。这是一个大的改变计划。这是一个完全不同的看待问题的方式。

SE:我们先谈谈选择性去除,有时被称为原子层腐蚀(啤酒)。啤酒一直在研发多年,但是技术终于来了。选择性切除是一种互补的技术。选择性的删除是什么?

拉贾:在选择性去除,你删除某些材料。通常,您有多个步骤移除一个材料。我们可以删除一个材料没有接触其他材料。

SE:这项技术被使用?

拉贾:选择性删除可以在多个应用程序使用。主应用程序是多个硅删除。这就是我们开始的地方。现在已经在生产或试验生产。现在,我们已经能胜任氧化物。我们被胜任氮化物。我们现在正在胜任金属氧化物。现在扩大到越来越多的材料。主要从逻辑。记忆是在现在。

SE:你能给我们一个例子,这是如何使用?

拉贾:我们可以做任何事情的想法是基于化学我们选择什么和我们如何做。这是一个简单的例子。假设你有一个交替的硅和硅锗。这是一个横向腐蚀。没有感人的硅,我们只能去除硅锗。如果你看看柔软的角落,我们甚至不碰它。这在以前是不可能的。与此同时,我们可以做没有接触硅锗硅。相同的工具能做到。

SE:我认为这是一个缓慢的过程,相比传统的腐蚀,对吧?这些选择性删除的尺寸是什么?

拉贾:这是一个缓慢的过程。但这可能是2或3 nm。我们可以控制它的10埃删除,比那个更少。通常情况下,人们想要地址非常软,非常关键的领域。他们可以使用这个过程。

SE:你听起来像一个应用例子gate-all-around场效应晶体管,新一代晶体管类型针对5海里。将行业扩展finFET或搬到gate-all-around 5海里?

拉贾:人们都看。他们要去哪条路?目前尚不清楚。

SE:你能给我们的另一个例子与选择性去除你能做什么?

拉贾:客户回来,说:“这种材料去除,我只想删除底部和顶部材料(沟)。所以我们不仅要做material-to-material选择性,但是我们也希望材料选择性,加上几何选择性。我们现在能做的。

SE:有什么价值?

拉贾:假设有人想成长。假设你想要一个垫片。你可以这样做。

SE:让我们开关齿轮。几十年来,芯片制造商使用传统的沉积。与此同时,在研发、行业一段时间一直在探索新技术叫做选择性沉积。使用原子层沉积(ALD)工具、选择性沉积是一个沉淀的过程材料和电影的地方。选择性沉积现在在哪里?

拉贾:这是在研发阶段。人们一直在谈论了很长时间。一些金属总是可能的。钴是可能几年前。Epi几年前是可能的。辩证法总是最大的挑战。现在的问题是你如何种植电介质。从我们这边最近发生了突破性的。我们开始看到我们知道如何种植。

SE:但是是芯片制造商对选择性沉积感兴趣吗?

拉贾:在过去的4到5年,我们已经讨论过它。但是没有一个真正的绝望拉从我们的客户。现在,当你看到这个,你去5和3 nm,你知道没有它你会有麻烦了。所以我们开始把我们的关注。

SE:你需要定制ALD的工具,使选择性沉积?

拉贾:关于工具集,他们并不比我们已经非常不同。这真是玩的化学和材料。一旦你已经找到了如何处理化学和材料,工具集没有挑战性的部分。我们可以把它插到我们当前的工具集。

SE:英特尔,推动选择性沉积。他们说选择性沉积可能解决的最大障碍之一芯片scaling-edge位置误差(EPE)。EPE测量为目的的区别在一个布局和打印功能。解决EPE问题,据英特尔未来的工具有选择地存款之间的一个微小的金属条两条线模式。实际上,两条线之间的金属条作为指导,防止偏差的模式的过程。这是选择性沉积的主要应用程序吗?

拉贾:这是其中之一。

SE:其他应用程序是什么?

拉贾:在晶体管方面,人们对它感兴趣。在嗒嗒嗒地方面,人们感兴趣。即使是backend-of-the-line,它可以被使用。有多个地方使用它。

SE:当客户使用选择性沉积吗?

拉贾我们可以做5或7 nm ?我们还不知道,因为它是另一种路径。人的想法不同。设备计划已经改变。如果他们使用它,步骤会使用多少?我们现在不知道。

SE:选择性沉积的挑战是什么?

拉贾:我们之前的挑战是,化学不喜欢对方。我们叫它不兼容的化学反应。

SE:你如何解决这个问题?

拉贾市场:我们带来的新功能完全隔离化学反应。即使是同一室,化学不混合。

SE:这都哪儿去了?

拉贾:有很多地方你可以选择性沉积。人们一直在思考很长时间。所以他们知道他们想要使用它。关于选择性去除,没有做梦。一旦他们知道如何使用选择性去除,现在他们正在思考:“你可以选择性沉积,可以结合(选择性移除)。”

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