标签:原子层腐蚀

研究部分:7月11日
通过杰西·艾伦- 11年7月,2022 -评论:0

建模啤酒美国能源部(DOE)的科学家们普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL),配合林研究,建模原子层蚀刻半导体制造的(啤酒)。“这将是一个小块在整个生产过程中,”大卫·格雷夫斯说,低温等离子体表面相互作用实验室主任助理PPPL教授在…»阅读更多

功率放大器为5克战争开始
通过马克LaPedus8月24日,2020 -评论:2

需求增加功率放大器芯片和其他射频设备5 g基站,为不同公司和技术之间的摊牌。功率放大器设备是一个关键组件,提高基站的射频功率信号。它是基于两个竞争技术,硅LDMOS或射频氮化镓(GaN)。氮化镓,III-V技术,优于……»阅读更多

原子层腐蚀扩展到新的市场
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

半导体行业正在开发应用程序的下一波原子层腐蚀(ALE),希望在一些新的和新兴市场立足。啤酒,下一代蚀刻技术,消除了材料在原子尺度,是一些工具用于处理先进的设备在一个工厂。啤酒进入生产选择应用程序大约在2016年,尽管技术……»阅读更多

制造业:2月18日
通过马克LaPedus- 2月18日,2020 -评论:0

分子层腐蚀美国能源部的阿贡国家实验室领域的新进展分子层腐蚀或腐蚀(标定)。大中型企业相关原子层腐蚀(ALE)。用于半导体行业,啤酒有选择地删除目标材料在原子尺度在不损害其他部分的结构。啤酒与原子层淀积…»阅读更多

一旦再次出现低温腐蚀
通过马克LaPedus9月- 20,2018 -评论:0

经过多年研发,技术称为低温腐蚀是重新作为一个可能的选项在内存中为生产行业面临新的挑战和逻辑。低温腐蚀去除材料设备具有高纵横比在寒冷的气温中,尽管它一直是一个挑战性的过程。低温腐蚀是很难控制,它需要专业的低温气体……»阅读更多

选择性沉积在哪里?
通过马克LaPedus- 25,2018 -评论:4

多年来,该行业一直致力于一个名为area-selective沉积的先进技术对芯片生产5 nm和超越。Area-selective沉积,先进的自对准模式技术,仍在研发与技术在一系列挑战。但更高级形式的技术开始取得一些进展,可能从洛杉矶指日可待…»阅读更多

大麻烦在3海里
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:0

随着芯片制造商开始增加10 nm / 7纳米技术在市场上,厂商也准备开发新一代3纳米晶体管类型。一些已经宣布具体的计划在3海里,但过渡到此节点将是一个漫长而崎岖不平,充满了大量的技术和成本的挑战。例如,3 nm芯片的设计成本可能超过一个eye-p…»阅读更多

模式问题堆积起来
通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多

管理寄生晶体管的性能
通过凯瑟琳德比郡1月30日,2017 -评论:3

基本方程描述晶体管行为依赖于参数如通道掺杂,栅氧化层的电容,电阻和源极和漏极之间的通道。集成电路产业的大部分历史,这些已经足够了。“寄生”或“外部”抗性和功放结构外的晶体管已经足够小discoun……»阅读更多

蚀刻技术的进步
通过杰夫Dorsch12月- 15,2016 -评论:0

让我们非常非常小。从领先的半导体公司和他们的客户指令迫使整个半导体供应链想出新的方法来设计和制造微型芯片的尺寸。当前推动10 nm和7海里,但研发5和3 nm已经在进行中了。从另一个角度看,大约有两个硅原子……»阅读更多

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