标签:gate-all-around场效应晶体管

建模波动来源对棉酚的电特性的影响如果使用ANN-Based毫升NS mosfet
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

研究者从国家杨明交通大学(台湾)发表了一篇技术论文题为“机器学习方法建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet。”"This study has comprehensively analyzed the potential of the ANN-based ML strategy in modeling the effect of fluctuation sources on electrical characteristics of GAA Si NS MOSF...»阅读更多

芯片在第三维度
通过Krishnan Shrinivasan- 6月16日,2022 -评论:0

每隔几个月,新的和改进的电子产品。他们通常较小,聪明,更快,有更多的带宽、功耗小,等等——所有由于新一代的先进芯片和处理器。我们的数字社会期待这种新设备的稳定滴,明天太阳会升起一样确定。在幕后,然而,工程师正在feve型……»阅读更多

精密选择性腐蚀和3 d之路
通过瓦希德Vahedi——3月17日,2022 -评论:0

缩放(微型设备的萎缩等芯片的晶体管和记忆细胞)从来都不是容易的,但是让下一代先进的逻辑和内存设备现实需要创造新的结构在原子尺度。使用这个小尺寸时,几乎没有变化。更加复杂的问题是一个需要删除材料各向同性的,或者,联合国…»阅读更多

内部间隔工程改善机械稳定频道发布的版本的过程Nanosheet场效应晶体管
通过技术论文链接- 8月28日,2021 -评论:0

抽象的“机械应力是在制造过程中nanosheet场效应晶体管。特别是,不必要的机械不稳定源于重力在频道发布的版本被援助的详细介绍三维模拟。仿真结果显示暂停nanosheets的身体弱点和nanosheet厚度的影响。内部间隔工程基于geometr……»阅读更多

推进到3 nm节点和超越:技术,挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove8月19日,2021 -评论:0

似乎昨天finFETs被缩小设备比例限制的答案长度和所需的静电学门。finFETs开始在22 nm节点的引入,并一直持续到7 nm节点。除了7海里,它看起来像nanosheet设备结构将用于至少5 nm,可能3 nm节点。nanosheet设备结构brainc……»阅读更多

越来越不均匀3 nm / 2海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林2021年5月- 24 -评论:2

一些芯片制造商和专业设计公司竞相开发流程和相互芯片在下次逻辑节点3和2 nm,但把这些技术应用到大规模生产被证明是昂贵和困难。也开始质疑仅仅需要这些新节点和为什么。迁移到下一个节点并提高性能……»阅读更多

从FinFETs Gate-All-Around
通过尼莉莎Draeger11月19日,2020 -评论:0

当他们第一次商业化22 nm节点,finFETs代表我们构建晶体管的方式的革命性变革,微型开关芯片的“大脑”。相比之前的平面晶体管,鳍,三面接触的大门,提供更好的控制通道的形成在鳍。但是,finFETs已经达到的效用为…»阅读更多

范式转换与垂直纳米线场效应晶体管为5 nm和超越
通过Taigon歌- 9月27日,2018 -评论:1

我在本科的时候不久以前,我所有的电路和半导体教科书/教授讨论mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管),只是比是“更好”(双极结型晶体管)。仍有一些老教授谈论他们是如何使用是一个很好的工作,但是每个人都知道这是MOSFET是领先的游戏我…»阅读更多

FinFETs之后是什么?
通过马克LaPedus——7月24日,2017 -评论:3

芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

三星推出缩放、包装路线图
通过埃德·斯珀林2017年5月- 24 -评论:5

三星铸造了咄咄逼人的路线图,鳞片4海里,并包括一个扇出wafer-level包装技术,桥梁芯片在再分配层,18海里FD-SOI,和一个新的组织结构,允许单位作为商业企业更大的自主权。这些举措将[getentity id = " 22865 " e_name =“三星代工”)在直接竞争得到……»阅读更多

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