点评:制造业的一周

芯片制造商
谁会购买东芝的内存业务?最新的是什么成为一个令人困惑的传奇,东芝已经签署了一项协议出售其内存单位牵头的一个集团贝恩资本(Bain Capital)。Bain-led财团将持有49.9%的股份的内存单元,而东芝将持有40.2%和日本球兰拥有9.9%的股权。该组织的其他成员包括苹果、戴尔、金斯顿,希捷。此外,SK海力士也是集团的一部分。但是等等!西部数据公司东芝的工厂合作伙伴,似乎寻求禁令阻止该交易。“我们认为这是远未结束至少交易受到反垄断审批,日本国家安全相关的批准,股东批准和可能被仲裁由WDC对东芝、“Amit Daryanani说,分析师加拿大皇家银行。

英特尔介绍了其所谓Loihi测试芯片自学习神经形态芯片,模拟大脑功能如何通过学习操作基于各种模式的反馈环境。

一段时间以来,谣言已经运行猖獗三星将剥离其铸造业务到一个单独的公司。这并没有发生。然而最近,三星的铸造单位成为一个部门在其半单元。现在,三星计划形成一个顾问小组在其芯片单位“提高铸造业务,”一份报告显示从BusinessKorea。去年,台积电有50.6%的市场份额,而三星有7.9%,根据该报告。不久前,三星获得蒸汽时赢得了高通从台积电铸造业务。这是10 nm节点。然而,台积电将高通的铸造业务从三星的一部分。这是7海里。

MRAM市场继续加热。三星电子已扩大其28 nm FD-SOI过程技术提供衍生品,包括射频和嵌入式MRAM。另外,番红花属,磁传感器技术和嵌入式MRAM的开发人员,宣布卷制造技术的使用TowerJazz的130纳米CMOS工艺。

克里族有宣布任命的总裁兼首席执行官格雷格劳。劳成功查克•Swoboda下台。

工厂的工具和测试
应用材料公布了一个新的三年金融需求旺盛的市场前景。

工厂设备的应用,传统的驱动程序包括3 d与非逻辑/铸造,模式和显示。此外,人工智能和大数据也引发了一个文艺复兴时期的与新类型的处理器芯片设计开发的一套更大的公司。

基于这个智能手机和硅含量的持续增长,预计应用芯片厂设备(WFE)支出在2017年和2018年的总和是900亿美元。公司针对非一般公认会计准则调整后每股收益(EPS) 5.08美元,2020财年WFE基于一个450亿美元的市场。

“我们的市场强劲,变得更强。新技术词形变化AI和大数据将会增加对高性能半导体处理和存储的需求,“总裁兼首席执行官加里•迪克森表示,应用材料。

“人工智能的信号计算新时代推动重大改变逻辑和内存芯片的设计和制造方式,”迪克森说。“新材料和创新芯片体系结构将越来越多地需要给市场带来更快的处理器和更高效的记忆。”

该公司还宣布了一项新的股票回购计划授权一个额外的30亿美元的回购。的公司第三财季的结束,约9.95亿美元仍然是可用的,在之前的授权。

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芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点,但它变得更加困难。业界正在努力保持相同接触和互联时间表,它代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。在一篇博客,林的研究提供详细信息互联和这项技术的挑战。

雷诺子系统射频匹配网络,开发人员、发电机和气体流量管理系统对半导体制造设备,已经关闭了C系列资金。三星创业投资领导了。日立高新技术和SK海力士加入雷诺的战略投资者。现有的投资者,英特尔投资,林研究和MKS仪器,也参加了这一轮融资。

克里斯•麦克首席技术官Fractilia,有一个有趣的博客对最近BACUS和EUV事件。“许多人讨论了迫在眉睫的可用性从ASML 250 w EUV光源。词在街上(或者至少会议厅)说三星是得到这个第一个250 w源第一NXE: 3400 b扫描仪。它已经发货应该是由今年年底在2018年初与第一个结果。每个人都将焦急地等待结果,我相信,”他说。Fractilia,粗糙度公司模式最近发布的MetroLER——第一个专门开发的软件工具,使半导体工程师精确测量扫描电子显微镜(SEM)图像进行模式粗糙度。

滨松光子学日本宣布了一项协议收购Energetiq技术厂家的激光驱动的光源和极端紫外光源(EUV)。考虑交易4200万美元再加上公司现金。

的布兰福德集团全球工业拍卖公司进行在线拍卖的剩余资产甲骨文的6英寸晶圆厂和MEMS铸造设备。工厂位于路易斯维尔。拍卖将开放12月12日,12月13日关闭。

效果显著有呼吁论文的声音2018开发者大会。事件将专注于SoC测试解决方案(SoC)和内存半导体设备,处理解决方案和最佳实践。2018年大会将回到2016年的主办城市圣地亚哥,新竹,台湾5月15 - 16岁和5月23日,分别。

市场研究
内存业务正在蓬勃发展。例如,微米录得的结果并提高其指导。它也提高了资本支出从51亿年的2017财年75亿美元,加上或者减去5%,2018财年,根据KeyBanc资本市场。“大幅增加,以适应激进节点转换到1 xnm DRAM和64 -层3 d NAND,”韦斯顿Twigg说,分析师KeyBanc资本市场。

Twigg也举起微米估计在内存繁荣周期。“行业正在经历DRAM的短缺,推动ASP y / y F4Q上涨了57%,本季度可能会走高,”他说。“NAND闪存的需求依然强劲,但价格上涨正在放缓。我们预计行业DRAM价格增加到年底C2018,适度的下降可能在2018年初和较大的下降在2018年底新产能上线。我们期望行业NAND定价平在剩下的一年,并在2018年初开始下降64 -层斜坡带来大量新市场的能力。”

需求超过供给的NAND flash自2016年第三季度以来,根据集邦科技的一个部门,TrendForce。集邦科技的NAND闪存市场前景表明,供给和需求将在2018年达到一个平衡。明年,目前全球NAND闪存位供应增长率预计为42.9%,而一些需求增长率预计为37.7%。

2017年第二季度是一个季度商业智能手机和平板电脑市场反弹的迹象,根据Strategy Analytics。