如何使用高密度扇出(HDFO)技术，用有机介体取代承载tsv的硅介体，实现更高带宽的模对模互连，实现异构集成。
随着7纳米和5纳米节点的成本急剧上升，先进的封装正在走向一个十字路口，将所有所需的功能封装到一个单一的芯片中不再是财政上的谨慎。虽然单模封装仍将存在，但高端市场正在转向多模封装，以降低整体成本并提高功能。这种转变不仅仅是增加本地内存，例如向特定于应用程序的集成电路(ASIC)芯片添加高带宽内存(HBM)模块，而且还将前几代的单片ASIC分离到其组成部分，例如中央处理单元(CPU)核心、序列化/反序列化(SerDes)和输入/输出(I/O)块。通过将单片芯片分割成更小的功能块，可以通过提高较小CPU内核上的晶圆产量来降低成本，并重新使用来自先前硅节点的旧的、经过审查的知识产权(IP)，用于I/O和serde，这些节点不一定需要最先进的硅节点。
传统的细间距多模封装方法是采用带通硅通孔(tsv)的硅中间体。虽然TSV方法带来了前所未有的新性能水平，但主要限制之一是无法扩展到越来越高的频率。由于硅的寄生，硅中间体在模对模互连之间可以处理的最大频率大约是4 GHz。随着模对模互连的带宽越来越高，4-6 GHz的限制可能成为主要瓶颈。消除硅和二氧化硅电介质，使用聚合物作为电介质和中间体本身可以解决这个问题。
本文将讨论如何使用高密度扇出(HDFO)技术，用有机介体取代承载tsv的硅介体，以实现更高带宽的模对模互连，实现异构集成。
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