工厂和IC排名工具;三星1 xnm DRAM;英特尔的中国工厂。
工厂工具厂商
在2015年销售方面,应用材料保留了1号位置在晶圆工厂设备(WFE)市场去年增长了1.3%,据Garnter。林的研究经历了2015年最强的十大供应商的增长,移动到2号位置。的排名前,林跳ASML和电话。ASML在第三的位置,然后通过电话,KLA-Tencor、屏幕半导体解决方案,尼康,日立Kokusai日立高新技术和ASMI。
芯片制造商
在2015年的IC销售,英特尔保留了1号位置连续24年市场份额,获取全球市场的15.4%,根据Gartner。三星是第二个的排名,紧随其后的是SK海力士。英飞凌经历了最强劲的增长在前供应商,从12号到9号位置在2015年,据该公司。
另一家研究公司,IHS,有一个略有不同的版本2015年IC的排名。NXP在前10名。有趣的是,苹果是排名14。
三星已经开始大规模生产行业的前十nm-class后发展出。第一个芯片是8-gigabit (Gb)设备,基于DDR4技术。这不是简单的任务来扩展DRAM超出20海里。例如,三星必须想出一些新的和创新的技术。微米和SK海力士也移动全速前进的缩放比赛,希望能打破20 nm障碍今年或明年。
中国半导体市场再次升温。最近,台积电宣布计划在中国建立一个300毫米晶圆厂。去年,英特尔宣布其中国工厂将从65 nm芯片的生产转换3 d NAND和3 d XPoint。预计开始销售3 d NAND闪存产品从这个工厂在2016年下半年。英特尔在大连计划投资55亿美元,中国工厂。“我们认为,英特尔已经开始光刻工具出口(在大连工厂)在3月底,“Amit Daryanani说,分析师加拿大皇家银行在一份报告中。“基于我们的估计€200光刻工具运输,我们认为,大连工厂正在2 ArF浸泡,1 - 2 ArF干燥,6 - 7 KrF,并从ASML 2 - 3线上系统。假设~ 25%得病的强度,我们估计,WFE总支出在英特尔大连芯片厂可能达到900 - 1000美元。这代表了大约25000在大连3 d NAND晶圆产能。”
铸造/ IDM供应商ams AG)宣布,它是制造业Sarda的先进的高压CMOS司机。Sarda的自定义驱动程序目前捏造ams的0.35微米高压CMOS专业过程,它允许的高效集成域从3 v到120 v电压在一个单片集成电路。
交易
根据布隆伯格,德国爱思强公司股价正在寻找一个买家。它已经接近竞争对手Veeco。Veeco和德国爱思强公司股价在金属市场占据主导地位。“我们认为VECO购买AIXG将充满了反托拉斯法,“说Srini Sundararajan,分析师研究得到Hambrecht + co .) /峰会在一份报告中。“另一方面,可能有很多其他的追求者包括半导体资本设备的公司。在任何情况下,我们认为,市场可能会抬高AIXG的股票价格。此外,它还将推高股价的VECO VECO被视为金属双头垄断的成员越成功。LRCX说,如果一个semi-cap公司购买AIXG,那么它的竞争对手可能是VECO周围盘旋,哄抬股价。我们想强调从根本上GaN金属市场仍处于低迷状态,这就是为什么AIXG购物本身放在第一位。”
哈、特种化学品供应商已经获得了“FineChem (NFC)新加坡电子化学品的制造商。NFC制造湿过程的化学物质,包括溶剂、酸和定制混合液晶显示器,电子和半导体市场。
GigOptix已经更名为GigPeak。该公司还封闭的收购的万能半导体。
运筹帷幄
Marvell Technology宣布离职戴的首席执行官Sehat Sutardja和总统就从他们的管理职位,立即生效。Sutardja和戴仍将在董事会,Sutardja继续担任董事长。迈威尔公司将进行搜索一个新的首席执行官和总裁。
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