调查:乐观的EUV生长

乐观增长的极端紫外线(EUV)光刻技术的市场,根据一双新公布的调查eBeam倡议,也透露了一些新的和令人惊讶的数据掩盖书写工具和其他光掩模技术。

在一个调查的eBeam倡议,受访者透露他们比以往任何时候都更为乐观的实现EUV光刻技术在量产阶段。事实上,79%的受访者认为EUV将用于至少一个芯片制造业一步生产到2021年底,据调查。

相比之下,60%的受访者认为EUV将用于至少一个芯片制造业一步生产到2020年底,据去年的调查从eBeam倡议。2015年,2020年这个数字是62%,根据组织。

“人们已经改变了他们的意见,”说,首席执行官d2管理公司赞助eBeam倡议的。“EUV信心是最大的事情。现在几乎每个人都认为它会发生。”

除了EUV,置信水平也为新多波束面具仍然很高作家在市场,据调查。但受访者还表示,现任电子束technology-variable成形波束(VSB)面具为未来几年写系统仍然足够。

而乐观是高新技术如EUV和多波束,调查还揭示了一些令人不安的趋势。例如,平均EUV掩模收益率在64.3%的仍然很低,据调查。面具和总体周转时间和数据量继续增加。

这两个新公布的调查eBeam倡议,一个组织,提供了一个论坛关于新设计到制造方法,有助于减少掩模成本基于电子束和其他技术。

一项调查从eBeam行动被称为“看法的调查”。业内专家代表40家公司来自半导体ecosystem-including光掩模,EDA, IC设计、设备、材料、制造和research-participated在这个调查。eBeam倡议开始编译和发布,6年前的调查。

其他的调查被称为“面具制造商调查”。2015年,该组织拿起残余的调查,这是以前由Sematech处理。这个调查包含反馈10俘虏和商人光掩模制造商。

在“认知调查,“自信是对EUV攀升。这是个好消息的行业希望EUV充分的理由。今天的193海里浸泡光刻技术工具和多个模式技术将扩展到10 nm / 7海里,虽然这些技术正变得越来越复杂和昂贵的一些关键层的集成电路设计。

今天,事实上,GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电都发展EUV 7层和/或5 nm,即关键金属层和通过。此外,三星还希望插入EUV 1 xnm节点后发展出。

EUV使实质性进展,行业越来越有信心技术,调查显示。此外,调查还跟踪nanoimprint的置信度,直写和定向自组装(定向自组装)。

约46%的受访者相信nanoimprint将用于2021年在制造流程一步。今天,nanoimprint主要用于NAND闪存。在同一时间内,受访者对互补混合电子束光刻技术(26%)、传统的直写电子束(18%)和DSA (18%)。

“认知调查,反馈清楚地表明EUV转了个弯,几乎所有的受访者预计,它将用于半导体HVM在将来的某个时候,“d2”》说。“这标志着一个相当大的转变从三年前,当三分之一的受访者认为EUV再也看不到HVM收养。”

此外,多波束eBeam光刻面具的写作是日益活跃。今天的单光束电子束工具改善,但他们只是勉强跟上复杂的面具。多波束电子束技术有望解决关键问题的面具写倍行业移动到更小的几何图形。

在调查中,74%的受访者预测,多波束技术将被用于掩盖在大批量生产到2019年底。大容量的加权平均预期的时间实现已经被10个月相比去年的受访者预测。

不过,信心水平,多波束在去年的调查将采用增加。“人们希望多波束是用于HVM很快,”》说。“还有趣的反应与多波束技术,在市场信心依然很高,但预测预期的插入点已经延长近一年。”

多波束面具作家不会取代传统的单光束在面具商店电子束工具。调查显示,61%的受访者说VSB吞吐量是足够的未来几年。

在调查中,与此同时,70%的受访者相信逆光刻技术(ILT)用于至少几个关键层今天先进的节点。

更多的数据
在单独的“面具制造商调查”,与此同时,收集到的数据从10期间面具制造商从2016年第三季度到2017年第二季度。在调查中,有一个明显的增加在掩模量小于11 nm但大于或等于7海里。之前,最大的面具卷位于28 nm及以上。“后缘将保持在非常高的卷很长一段时间,”他说。

正如预期的那样,每个面具的面具数量设置在每个节点增加。在130纳米以上,每个面具的面具数量是25集,根据调查。相比之下,平均每个面具的面具数集是76不到11 nm但大于或等于7海里,相比65年小于16 nm但是大于或等于11纳米,据调查。

面具的复杂性对面具周转时间产生重大影响。面具的加权平均周转时间接近12天10 nm和7海里,6天28 nm相比,据调查。

面具的加权平均数据准备时间也更大更好的面具,超过21小时10 nm和7海里的基本规则。相比之下,9.1天28 nm,据调查。数据准备错误的主要原因是面具返回(28%)的受访者。

“面具制造商的调查,一个新的问题验证一个明确的趋势MPC低于16 nm基本规则的使用,部分导致了显著的数据准备时间基本规则较好的面具,”他说。

》将两项调查的详细结果在本周邀请谈话有光掩模技术研讨会在蒙特雷,加州。

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