西方国家半导体;材料研究;新的记忆。
西方国家半导体
这是西Semicon又来了．以下是发布会的第一波公告:
应用材料有推出了一对工具旨在加速新存储器的行业采用。首先，应用材料公司推出了Endura Clover MRAM PVD系统。该系统是一个集成的MRAM设备平台。其次，公司推出了用于PCRAM和ReRAM的Endura Impulse PVD平台。应用材料半导体产品集团高级副总裁兼总经理Prabu Raja表示:“这些集成平台说明了新材料和3D架构在为计算行业提供提高性能、功耗和成本的全新方式方面所发挥的关键作用。”
ASM国际介绍了预览流程模块对300mm的沉积前表面进行一体化清洗，提高沉积膜的性能。集成到ASM的外延平台中，Previum表面清洗模块可以为高级节点通道和源/漏工程应用提供外延沉积。
Coventor,一个林研究公司，已宣布SEMulator3D 8.0的可用性-最新版本的半导体虚拟制造平台。SEMulator3D 8.0解决了工艺和器件模拟，同时降低了先进半导体技术开发的障碍。covenor表示:“新的工艺窗口优化(PWO)功能可以执行工艺窗口优化，而不需要耗时且昂贵的硅片测试。”这种功能与现有的SEMulator3D功能相结合，可以更早地了解关键工艺因素及其对产量的影响。”
Imec已经推出了双大马士革21nm沥青测试车与制造3nm逻辑节点相关。与前几代相比，测试车辆的电阻-电容积(RC)提高了30%。为了对M2层进行图案处理，提出了一种混合光刻方法，使用193nm浸没自对准四重图案(SAQP)打印线条和沟槽，极紫外光刻(EUVL)打印块体和孔道结构。试验车辆采用无障碍钌金属化方案，绝缘体介电常数k=3.0。
英特尔推出了新的构建模块先进的包装组合包括一座新的桥梁和3D技术。“我们的愿景是开发领先的技术，将芯片和芯片连接在一个包中，以匹配单片系统的功能。异构方法为我们的芯片架构师提供了前所未有的灵活性，可以将IP块和处理技术与新设备形式因素中的各种内存和I/O元素混合和匹配。英特尔的垂直集成结构在异构集成时代提供了优势，使我们拥有无与伦比的协同优化架构、流程和包装的能力，以提供领先的产品，”英特尔装配与测试技术开发集团副总裁Babak Sabi说。
JSR微已经开始建设一个新的技术发展水平的设施该项目的全部投资估计为1亿美元，计划于2020年开始运营。
心理契约宣布了新的缺陷检查和电子束审查组合．新的392x和295x光学图样晶圆缺陷检测系统基于宽带等离子体照明技术。该系统使用不同的波长范围来覆盖所有层的检测应用，从浅层沟槽隔离到金属化。eDR7380电子束晶圆缺陷审查系统在开发过程中提供快速缺陷来源和生产过程中的准确数据。KLA全球产品集团执行副总裁Ahmad Khan表示:“要想制造出有利可图的下一代内存和逻辑芯片，需要前所未有的过程控制。”“设备结构更小、更窄、更高、更深，具有更复杂的形状和新材料。从良性物理变化(信号与噪声)中鉴别缺陷已成为一个极其困难的问题。我们的光学和电子束工程团队已经开发了一系列创新的连接缺陷检查和审查系统，旨在使我们的行业继续向前发展。”
新材料
的美国能源部(DOE)将投资3200万美元加快新材料的设计在超级计算机的帮助下。
这项为期四年的努力将得到国家实验室和大学的支持。阿贡国家实验室，布鲁克海文国家实验室,劳伦斯利弗莫尔国家实验室都是努力的一部分。的伊利诺伊大学，宾夕法尼亚州立大学,德克萨斯大学和南加州大学也参与其中。
作为努力的一部分，能源部授予了中西部计算材料综合中心(MICCoM)为资助项目之一。今后四年的经费水平为每年250万美元。
该中心由阿贡国家实验室领导，联合研究人员来自芝加哥大学，圣母大学,加州大学戴维斯分校．
MICCoM的任务是开发计算工具、开源软件、数据、模拟方法和验证程序。
新的记忆
一个由19个欧洲研究和工业合作伙伴组成的小组已经启动了一个为期三年的项目新兴记忆技术的发展用于神经形态计算。
这个被称为TEMPO的项目是由ECSEL联合承诺．该项目将利用Imec的MRAM技术，FeRAM技术弗劳恩霍夫，和ReRAM fromCEA-Leti．目标是为八个不同的用例开发峰值神经网络和深度神经网络加速器，从消费到汽车和医疗应用。
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