GlobalFoundries首席技术官加里•巴顿深入客户的重点是如何将新的市场机会。
GlobalFoundries首席技术官加里•巴顿,坐下来和半导体工程讨论推出EUV设计芯片的成本上升在最先进的节点,和日渐流行的22纳米平面FD-SOI在许多市场。以下是摘录的谈话。
SE:你刚刚开始部署EUV。你经历过任何问题吗?
巴顿:这是一个非常复杂的工具。有挑战,让一切都刚刚好。
SE:电源你用什么尺寸的?
巴顿:我们现在达到150瓦。
SE:有报道称在论文和会议演讲关于随机效应和photoresist-related问题。这是怎么影响你的推广?
巴顿:我们要开始
接触和通过,面具defectivity不是至关重要的。然后我们将扩展到金属线。我们把它加在一个非常透明的方式。客户将得到的好处,希望将预计EUV defectivity和吞吐量,但我们的计划是在任何关键路径不使用EUV 7海里。
SE:随着成本的EUV,有很多的讨论设计的成本在7和5 nm芯片。光刻是一个因素。公司将在3 nm设计完整的芯片,或者他们会开始做最先进的逻辑节点和40 nm模拟,例如?
巴顿:我的长期支持2.5 d和3 d集成。现在的真的。特别是2.5 d,已经在14 nm。很大一部分我们的ASIC设计了利用2.5 d。我们也有一些相当令人兴奋的项目在3 d 7海里。他们会做一些这个解集的你在说什么。所以你可以有一个逻辑芯片,然后层层SRAM上面。
SE:最初的想法是,这是逻辑上的逻辑,但这是任何人开始之前考虑热的问题。那还是来了,或者是未来关于记忆逻辑?
巴顿:我认为这是更有可能与逻辑和记忆。不是每个人都可以进入这些高级节点,。我们看到节点到节点过渡放缓。还有一些公司集中在圣诞节和驾驶很难从节点到节点,但价值主张是越来越弱。10和20 nm都从客户的角度来看非常弱的节点。客户跳过那些去14,或者他们现在前往7海里。我看到类似的事情上演5 nm 10和20 nm。此外,这将是这条路的尽头在静电学finFET设备。
SE:那么接下来你们去哪里?
巴顿:我不知道我们的下一个节点将所说的,但是我们不会做一个half-node。我们的7海里是一个很强的收缩的14 nm,强大的性能改进,我们希望7海里后做同样的事情。
SE:多少公司可以负担得起吗?
巴顿:这是非常昂贵的芯片设计最新的节点与所有的面具。这是85年面具。有很多文章发表在设计芯片的成本是几亿美元,增长。这就是FD-SOI出现的原因。这是一个低得多的成本来设计一个FD装置。有更少的面具。并不是所有的两倍或三倍模式。其实从技术和成本的优化设计的观点。,为客户寻找之间的权力平衡,性能和成本,和射频集成在同一芯片的能力,FD市场都在顺利进行着。
SE:如何较量finFETs吗?
巴顿:没有竞争finFET。的认可,市场需求扩大的相关情报。有一个更多样化的需求从客户的角度来看。FinFET没有涵盖一切。我们是第一个承认这一点。我们的竞争对手不得不跟随我们进入这个空间的22纳米,但我们的优势是我们的22纳米空间进行优化。我们没有从架子上22纳米,试图启动应急操作操作它在这种低功耗,电池供电的移动空间。这是这个空间的优化。
SE:使用FD-SOI射频的优势是什么?
巴顿:平面在射频设备远远优于finFET设备。如果你想做毫米波或5 g类型的应用程序,你需要高性能的射频设备,FD-SOI是一个赢家。这就是我们看到我们的很多客户牵引。这是发生在汽车毫米波雷达。它发生在物联网,客户正试图把更多的智力优势,同时他们需要能够交流。你可以把five-chip解决方案与22纳米FD-SOI芯片。然后是整个机器学习市场。
SE:为什么平面优于finFET吗?
巴顿:对于射频,这是因为finFET的垂直电阻和电容。
SE:提高如果你搬到垂直或水平纳米线?或者是只是切片finFET ?
巴顿:不,它不会得到任何更好。所以有FD在毫米波空间的基本优势。我们有36设计赢得22 nm。他们都有射频产品。很多人有射频集成在一个单芯片的解决方案。这是一个令人信服的价值主张的技术。
SE:物联网作为一个概念已经分解成许多垂直市场,而不是单一的技术方法。但是有更多的智力优势。这是发生在多少FD-SOI与最先进的节点?
巴顿:我们已经设计的领域赢得cryptocurrency,边缘物联网设备的机器学习应用程序-5克和汽车。和他们都FD。
SE:为什么cryptocurrency FD-SOI移动吗?
巴顿:权力是一个大问题。你需要能够计算以非常低的电压。你可以提高性能,当你需要它的身体偏置。
SE:数字被扔在crytocurrency矿业的社区在世界能源的3%至4%。
巴顿:这是一个令人难以置信的市场机会。
SE:你期望从平面CMOS竞争吗?
巴顿:我们的客户有基准测试我们的FD技术对竞争和推出同样的回答。我们可以做的一件事,FD-SOI堆栈中的设备功率放大器。功率放大器,真是一个令人信服的解决方案。你可以布置设计和堆栈晶体管由于FD-SOI衬底绝缘,并使一个非常引人注目的功率放大器。你不能这么做散装。
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