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标签:扇出晶圆级封装

向小芯片进军
通过埃德·斯珀林和凯伦·海曼- 2022年12月15日-意见:0

在最先进的工艺节点上开发单片芯片的时代正在迅速缩短。几乎所有在设计前沿工作的人都在寻找使用离散异构组件的某种类型的高级封装。现在的挑战是如何将整个芯片行业转变为这种分散的模式。这需要时间，精力，以及大量的现实。»阅读更多

掌握FOWLP和2.5D设计比你想象的要容易
通过比尔Acito- 2022年11月22日-评论:0

IC封装已经有了自己的特色，曾经传统的封装是“必要之恶”，今天的封装可以增加显著的价值。通过为异类设计组装提供平台，增加了功能密度和灵活性。如果在SoC中实现的设计可能变得太大而无法令人满意地产生，并且在一个流程节点上实现太难，则可以使用…»阅读更多

扇出包装越来越有竞争力
通过凯伦·海曼和劳拉·彼得斯- 2022年8月18日-评论:0

扇出晶圆级封装(FOWLP)是行业从晶体管扩展到系统扩展和集成的关键推动因素。该设计通过再分配层而不是基板进行芯片互连。与倒装芯片球栅阵列(FCBGA)或线键合相比，它具有更低的热阻，更薄的封装，并可能降低成本。然而，如果h…»阅读更多

利用355nm能量实现RDL-First和Die-First扇出晶圆级封装(FOWLP)的可键合激光释放材料研究
通过布鲁尔科学- 2022年5月18日-意见:0

本文对重分布层(RDL)优先和模先扇出晶圆级封装(FOWLP)中可粘结激光释放材料的选择进行了全面评价。根据其在355 nm处的吸收系数，筛选出了4种激光释放材料。此外，这四种材料都具有350℃以上的热稳定性和在Ti/Cu l表面的拉脱附着力。»阅读更多

基于芯片的先进封装技术，从3D/TSV到FOWLP/FHE
通过技术文件链接- 2021年8月27日-评论:0

T. Fukushima，“从3D/TSV到FOWLP/FHE的基于芯片的先进封装技术”，2021年VLSI电路研讨会，2021年，pp. 1-2, doi: 10.23919/VLSICircuits52068.2021.9492335。摘要:最近，“芯片”有望进一步扩展LSI系统的性能。然而，使用芯片进行系统集成并不是一种新的方法。这个基本概念可以追溯到……»阅读更多

如何建立一个成功的多芯片模块工厂?
通过迈克·麦金太尔- 2021年7月6日-意见:0

当谈到多芯片模块(MCM)制造时，扇出晶圆级和扇出面板级封装最近得到了大量报道。每周，似乎都有关于“XYZ公司”将其产品转移到扇出晶圆级封装(FOWLP)或扇出面板级封装(FOPLP)领域的公告。但这些举措带来的挑战并没有…»阅读更多

扇形包装的选择越来越多
通过马克LaPedus- 2021年6月17日-评论:0

芯片制造商、osat和研发机构正在为一系列应用开发下一波扇出包，但整理新选项并找到正确的解决方案被证明是一个挑战。扇出是一种在高级封装中组装一个或多个芯片的方法，使芯片具有更好的性能和更多的I/ o，用于计算、物联网、网络和sma等应用程序。»阅读更多

用于RFMEMS-CMOS高性能低成本封装的WLFO
通过公司- 2021年2月17日-评论:0

在考虑集成电路(IC)封装和最终应用时，在性能、尺寸、成本和可靠性之间进行权衡可能是一个挑战。微机电系统(MEMS)的集成，无论是单片的还是异构的，都引入了另一个层次的复杂性，这是最近才成为多设备封装的主要焦点。晶圆级扇出(W…»阅读更多

新的dl - first PoP扇出晶圆级封装工艺与芯片到晶圆键合技术
通过公司- 2020年12月16日-评论:0

扇出晶圆级插接封装(PoP)设计在移动应用中具有低功耗、短信号路径、小尺寸和多功能异构集成等优点。此外，它还可以应用于各种封装平台，包括PoP、系统级封装(SiP)和芯片级封装(CSP)。这些优势来自于先进的网络技术。»阅读更多

迈向更先进包装的竞赛
通过马克LaPedus- 2020年7月23日-意见:2

铜混合键合的势头正在积聚，这项技术可能为下一代2.5D和3D封装铺平道路。铸造厂、设备供应商、研发机构和其他机构正在开发铜混合键合，这是一种在高级封装中使用铜-铜互连堆叠和键合模具的工艺。仍在研发，混合粘接包装提供更多…»阅读更多

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