一对一:Hayashi直

半导体工程坐下来讨论当前和未来的挑战与Hayashi直光掩模行业,研究员戴日本印刷(DNP)。

SE:今天的光掩模行业最大的挑战?

哈亚希:有几个挑战。大部分的挑战包括面具的复杂性。也很难处理面具数据,因为它变得巨大。同时,面具射杀数正在增加。所以,面具写作时间增加。因为单一曝光选择喜欢EUV也有点延迟,我们必须使用多重曝光扩展光学光刻技术。这意味着客户需要许多面具一层。基于Sematech最近的调查,例如,人们会使用超过70面具为前沿设置节点。最大的是100。我们必须做很多面具同时,但写作时间更长。 So the key is throughput. And also this complexity will impact the inspection/metrology area as well. The mask features are very complex and it’s quite difficult to inspect the defect or measure the CD.

复杂性面具SE:你能详细说明吗?

哈亚希:咄咄逼人OPC使用帮助功能。他们是非常小的特性。所以,我们有解决挑战的面具。也source-mask优化等技术,或逆光刻,要使用弯曲的线性特性。所以它不是直线,但圆线。目前,我们使用的是面具书写系统使用方。所以很困难让弯曲的线性特性和较小的照片。也会增加拍摄数曲线线性特性。这增加了复杂性。

SE:行业如何加快单梁电子束写时间?

哈亚希:一是提高电子束密度的方法。所以,你可以加快。当然,电子束密度的限制,因为出发影响类型的东西。所以,这就是为什么这个行业正在考虑多个光束加快写时间。

SE:还有其他想法吗?

哈亚希:因为拍摄数增加,d2具有良好的技术来减少拍摄数与现有的工具。当然,我们是为了等待多波束。但是,我们有很多单光束系统。我们想增加这些工具的生产力。在这种情况下,d2的技术是非常有效的提高生产力。

SE:当电子束耗尽体力吗?

哈亚希:14 nm节点已经合格的单波束系统。所以人们将使用一个单波束系统14 nm节点。,目前,面具制造商要开发10 nm节点与单波束面具。但我们认为10 nm的生产阶段,还有7 nm节点,将使用多波束的方法。最积极的多波束释放时机也许明年。

SE:单束电子束的平均写时间?

哈亚希:视情况而定,当然,在模式密度,但最大的超过50小时。超过两天。平均15到20个小时之间。

SE:该多波束面具作家写的时候了吗?什么是IMS的现状奈米制造的多波束面具作家吗?

哈亚希:就像我说的,一个非常复杂的面具将超过两天的单光束系统。下一代多光束作家写的时间是针对10个小时。到目前为止,IMS显示一个概念验证系统的基本架构。他们已经提出了一些结果与概念验证系统。该系统利用260 k梁写。当然,也有挑战。位置精度、CD控制和数据处理需要达到这一目标的10个小时写时间。但是书写策略的概念已经被证明与概念验证系统。

SE:我相信NuFlare也在开发一个多波束面具的作家。项目的状态是什么?

哈亚希我不能评论他们的策略。NuFlare有自己的策略来增加密度,以减少写时间。他们已经发布了循证医学- 9000单光束系统。他们提高了吞吐量,相比前一个30%或者40%。

SE:面具店中的其他挑战是什么?

哈亚希:面具的复杂性也影响检查和修理。就像我说的,如果面具上的特性曲线是线性的,它可能很难修复。我们必须做一个弯曲的腐蚀与修复系统。面具,检查部位,我们需要die-to-database检查。在这种情况下,这种逆数据库处理相当长。此外,我们还需要多个检查步骤。我们需要检查面具就在这个过程中,同时修复后,同时薄膜后附件。所以我们必须使用检测系统两到三次在一个面具。这成本是多个。

SE:任何评价多个模式和面具?

哈亚希:在自对准双模式情况下,客户使用一个关键层。同时他们需要一个面具。但是切割面具没有这样的复杂特性。

SE:今天是光掩模生产的节点?你能讨论掩模成本?

哈亚希:目前,掩盖生产28 nm。现在20 nm排位赛开始船。和14纳米的发展状态。10纳米研发。掩模成本难以量化。从历史上看,从节点到节点,掩模成本增加70%到80%。当然,同比,掩模成本下降,因为折旧成本。收益率也上升。所以生产成本降低以及掩模成本。

SE:商人,被面具商店扮演着什么样的角色在今天的环境?

哈亚希:俘虏面具商店试图让最先进的面具。技术方法,我们开车去遵循俘虏面具商店。我们也业务连续性与他们的合作伙伴。然后,有很多顾客没有内部面具店。我们还与客户做生意。

SE:铸造厂如台积电都有自己的面具商店。台积电位置它操作的面具交钥匙服务。他们有一个优势商人面具供应商?

哈亚希:我同意,铸造,俘虏面具店有能力优化面具规范与他们得病的人。但商人面具店只是针对逻辑铸造客户。也有内存和其他类型的客户。我们非常灵活,使大规模生产线对于许多类型的客户。所以,一些俘虏面具商店集中在非常特定的产品。我们相信商人模型适用于各种类型的设备。

SE: DNP参与nanoimprint,对吧?

哈亚希:印记有一些挑战和缺陷控制。但是一些设备可以放弃某种程度的缺陷。这类型的光刻技术可以用于特定的设备。一段时间,DNP一直致力于nanoimprint模板。我们已经成功地开发了过程复制模板,但主模板需要很长时间。现在,我们要让成本降低复制模板的应用程序。我们集中我们的努力开发这样一个过程。目前,我们取得了几乎所有的目标复制模板,包括缺陷规范。我们已经有了不错的进展。

SE: Nanoimprint看到一些牵引在快闪记忆体,对吧?

哈亚希:没错。一些类型的内存冗余。这种类型的设备是第一步。

SE:你认为光学光刻技术将“永远”作为手段模式尖端设备的关键层吗?或将芯片制造商使用光学和天然气凝析液吗?

哈亚希:我看到光加上另一个技术,比如EUV切割和电子束切割或DSA。光学效率最高。是很成熟。

SE:你承担EUV掩的准备吗?

哈亚希:在一个小组有非常有趣的讨论。它处理薄膜的准备。得病的人都想有一个薄膜EUV。不过,薄膜的EUV还没有准备好。当然,还有薄膜本身。也有一个问题关于如何检查后的面具薄膜附呈。在这种情况下,我们需要一个光化性检测系统。显示一个工具的基础设施的挑战。

SE: EUV掩模空白?

哈亚希:我们可能无法获得优异的EUV掩模空白。所以我们应该有一些缓解的方法来消除残留缺陷的空白。这仍然是一个挑战。不过,缺陷数量本身已相当减少,就像一个一位数。不是100或20。现在,它是关于7或8每板缺陷。在这种情况下,我们可以减轻这样的缺陷类型的面具。

SE:一段时间以来,这个行业已经谈论NA EUV高。这可能需要开发一个新的面具的大小。任何想法吗?

哈亚希:也许这将是必要的设备制造商。但你知道,面具行业规模很小。没有那么多的球员。所以,将会有一个基础设施的挑战。

在DSA SE:任何想法吗?

哈亚希:基本上,DSA面具本身并不影响。但是,当然,这是一个有趣的缩放技术。我们看我们如何应用方面的技术面具。如果客户需要非常小的特性在面具,DSA可能适用甚至面具。