标签:自对准双模式

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

单和多模式EUV
通过马克LaPedus- 3月25日,2019 -评论:5

极端紫外线(EUV)光刻最终进入生产,但铸造客户现在必须决定是否使用EUV-based单一模式实现他们的设计在7海里,还是等待,而不是部署EUV多个模式5海里。每个模式方案都有独特的挑战,使决策更困难比可能出现。针对7海里,单一模式……»阅读更多

是什么驱使SADP BEOL变异性?
通过迈克尔Hargrove——5月18日,2017 -评论:0

直到EUV光刻技术成为现实,多个模式技术,如三litho-etch (LELELE),自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)被用于满足严格的模式要求先进的back-end-of-line (BEOL)技术。7纳米技术节点,模式需求包括一个金属距40 nm或更少。这个…»阅读更多

定时关闭问题重现
通过埃德·斯珀林- 07年12月,2016 -评论:1

定时关闭再次成为一个重大的挑战在10纳米和7纳米由于更多的功能和权力模式,增加过程变化和其他生产方面的问题。虽然timing-related问题大致相关半导体不断增长的复杂性,他们倾向于生成问题waves-about每十年一次。在soc,定时关闭问题引发了整个methodolog……»阅读更多

填满/切自对准Double-Patterning
通过大卫阿伯克龙比11月17日,2016 -评论:0

大卫•阿伯克龙比康复阿里艾哈迈德•Hamed-Fatehy和Shetha Nolke自对准双模式(SADP)是一种替代传统litho-etch-litho-etch double-patterning过程(乐乐)方法用于生产最先进的节点。这两种方法之间的主要区别是,在乐乐,布局分为两个面具,第二个面具是与职责……»阅读更多

1 xnm DRAM的挑战
通过马克LaPedus- 2月18日,2016 -评论:3

在最近的一次活动中,三星发表了一篇论文,描述了该公司计划扩展今天的平面后发到20海里。这是一个了不起的壮举。直到最近,大多数工程师认为今日将在20 nm左右停止扩展。相反,三星是增加世界上最先进的DRAMs-a 20纳米线部分计划更进一步。微米和SK海力士-秀……»阅读更多

为检验和计量闪舞
通过马克LaPedus- 4月16日,2015 -评论:0

芯片制造商正从平面技术,各种类3 d结构,如3 d NAND和finFETs为这些设备,芯片制造商工厂面临着众多的挑战。但是一个意外,常常会忘记技术正成为也许最大的挑战在逻辑学和记忆过程控制。过程控制包括计量和晶片检查。Metrolo……»阅读更多

自对准双Patterning-Part两
通过大卫阿伯克龙比8月- 14,2014 -评论:0

在我的上一篇文章中,我介绍了基本自对准Double-Patterning (SADP)的过程,是一个潜在的候选人的技术处理金属层在10纳米,下面,让我们有一个快速回顾。SADP使用沉积和蚀刻步骤创建定位器周围有图案的形状(图1)。正如你所看到的,有两个屏蔽步骤第一个面具是卡尔……»阅读更多

自对准双重模式,第一部分
通过大卫阿伯克龙比——5月15日,2014 -评论:0

我相信你们大多数人看到罗夏墨迹测试(图1)。精神病医生问受试者告诉他们“看到”墨水污点。答案是用来描述被申请人的个性和情感的功能。我不确定我是否感到更不确定的是精神病医生问,或试图决定该说些什么,鉴于有ar……»阅读更多

如果EUV失败呢?
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:2

业内最糟糕的保密,但极端紫外线光刻技术(EUV)可能会错过10 nm节点。因此,芯片制造商可能扩展和使用今天的193 nm浸没式光刻10纳米。当然,这需要一个复杂的和昂贵的多个模式方案。现在,芯片制造商正在制定7纳米光刻技术策略。现在的情况是,…»阅读更多

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