罗夏测试的提醒你,但SADP就是乐乐后的下一个。这是一个你需要知道的速成课。
我相信你们大多数人看到罗夏墨迹测试(图1)。精神病医生问受试者告诉他们“看到”墨水污点。答案是用来描述被申请人的个性和情感的功能。我不确定我是否感到更不确定的是精神病医生问,或试图决定该说些什么,没有“错误”的答案。
图1:罗夏墨迹。你看到了什么?
我为什么要谈论墨水污渍?因为我想讨论一个新的多模式技术,通常称为自对准双模式(SADP),尽管它有时被称为sidewall-assisted双模式。已经看到,我们有两个正确答案相同的缩写!在任何情况下,SADP看起来很像一个墨水blot-hard可视化。让我们探索这个想法…
SADP类似于litho-etch-litho-etch(乐乐)双模式(DP)你们都掌握在20/16/14nm技术,它使用两个面具来定义最终的模式在晶片上。然而,这两种技术的唯一的共同点。乐乐DP欣慰的事情之一就是两个面具都基本上复制原始绘制布局的一部分。当你看到他们在一起,他们看起来相同原始布局(图2)。如果有人问你“看到”两个面具模式,你可以很容易和直观地描述最初的布局。
图2:乐乐DP面具相比原来的布局。
SADP,这种安慰情况蒸发,觉得你看着一个墨水污点接管(图3)。这两个面具用来形成最终的面具形状只有轻微的相似之处原来的布局,和面具的翻译数据的原始设计,反之亦然绝对不是直观。
图3:SADP面具相比原来的布局。
看着掩模层,尤其是单独,你可能很难试图“看到”他们如何与原来的布局。关键是要理解相当独特的过程,用于构造使用这些面具晶片上的形状。
虽然有几个SADP流程,我使用的版本被称为隔离介质(SID)。SID SADP过程中的步骤如图4所示。帮助你想象发生了什么晶片,左边的图显示横断面视图和右边的图显示的自上而下的观点相同的步骤。
图4:SID SADP金属的过程。
第一个图是理想的结束导致这种情况下,两个短在氧化沟满铜金属互连。和乐乐DP一样,你不能打印这两个形状这一个面具,密切相关的两个形状分配给第一个面具,称为“芯”面具。
不像乐乐DP,下一步是修改形状(延长它两端),并添加一个新的形状,不是最初的布局(在这种情况下,另一条线的远端第二形状不是分配给这个面具)。芯棒面具用于模式硬掩模层,然后用一个新的沉积盖层。
这个沉淀层然后蚀刻离开残差两侧的硬掩模。这些残差包围硬掩模图形被称为逆电流器。一旦删除原来的硬掩模,您可以看到间隔器本质上定义周围的空间原有的形状。这一步是流程的名称希德间距器定义minimum-spaced之间的空间形状。你必须添加额外的形状在另一边的第二初始形状来定义间隔第二形状的另一边。
显而易见的问题是,间隔器不阻挡不需要的所有领域的布局战壕。这就是第二个面具。不像乐乐DP,第二个面具不包含其他的原始形状。更宽的覆盖范围的面具保护的所有其他地方不需要战壕。两者的结合面具结合使用垫片沉积和蚀刻过程生成所需的最后一组晶片上的战壕。
SADP方法的关键是音高分割是实现使用间隔器,而不是将一个面具乐乐DP的另一个像你一样。该技术的主要优势是在乐乐DP SADP过程。如图5所示,乐乐DP是相邻的两个音之间容易失调形状从每个面具,因为只有这么多控制铸造能保持对齐的面具一步到另一个地方。在SADP,线条在本质上是一致的,因为两个形状是由一个过程(因此术语“自对准”)。SADP最艰难的过程的问题是控制间距器上的腐蚀倾向。如这个例子所示,over-etching衬垫的让他们小,创建一个宽度偏差相邻晶圆形状。
图5:过程控制问题比较乐乐DP和SADP之间。
尽管对齐控制过程的优势,SADP当然不是那么容易理解从设计的角度来看。我会给你一个例子在图6中,显示在一个稍微不同的方式,来帮助你更好地了解原来的形状分解成芯棒和块面具产生晶片上的最终形状。再次,最初的形状经过初始分割任务确定哪些形状将芯棒上的面具。这种分裂非常类似于当乐乐DP分解设计,但non-mandrel形状不是放在第二个面具。必须修改mandrel-assigned形状在芯棒掩模框(如图所示),其中包括扩展,添加额外的形状,以确保间距器将形成需要的地方。第四个框显示间隔器在芯棒形式mask-defined硬掩模。然后块面具覆盖暴露所需的最后沟形状最终腐蚀,同时保护其他晶片。
图6:SID SADP层分解。
SADP掌握最初当然不是一个简单的话题。花些时间与图片和解释,希望我们都开始看到相同的图像块墨迹!
在我的下一篇博客中,我们来看看两种不同的方法基本SADP方法。下次节目再见!
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