记忆测试的挑战,机遇

半导体资本设备市场着火,内存芯片测试设备行业也不例外。但它在内存方面变得更加困难。

记忆测试厂商正面临新一代设备,如3 d NAND闪存记忆,HBM2芯片,低功耗double-data-rate达利克,图形达利克,相变存储,磁阻的公绵羊、和电阻公羊,其中一些目前新的技术挑战测试先进的包装。

内存测试设备市场低迷本世纪初,的超大规模集成电路研究社的总裁李斯特·怕哈卡根据研究。从2011年到2016年,全球市场一般每年4.5亿美元和5.5亿美元之间,他说。2017年,VLSI研究估计内存测试设备市场增长了42.5%,从4.7亿年的2016到今年的6.7亿美元。

效果显著和Teradyne主导内存测试设备市场,一些单位和其他供应商的竞争基础在韩国,Puhakka指出。VLSI研究估计效果显著在内存测试人员在2016年出售了1.6亿美元,而Teradyne市场的销售额是1.35亿美元,单位公布去年的9500万美元。

Teradyne报道2016年营收约13.7亿美元的半导体测试单元,代表78%的公司去年17.5亿美元的总收入。半导体测试收入主要是由系统级芯片驱动的设备测试移动应用处理器市场,该公司表示。内存测试人员收入没有爆发。

混合内存立方体,最初由微米技术和开发后混合内存数据集支持的财团,一直在努力与竞争对手竞争高带宽内存规范及其HBM2接班人。最初由高级微设备开发与SK海力士HBM四年前成为了一个电平行业标准。在2016年初HBM2通过电平。

图1:HBM2记忆。来源:SK海力士

与混合记忆立方体,“数量仍然很小,”Puhakka说。“这是更多的技术问题而不是能力的问题。”

当涉及到3 d NAND闪存设备,另一个chip-stacking技术,“有两种不同的东西,”Puhakka观察。“你记性更好控制器技术在芯片内,所以你可以有很多的软件应用程序来管理内存芯片内。另一方面,你需要测试的可靠性和您需要测试的功能。你有内部控制器,可以减少你需要测试,但同时你的垃圾箱大幅上升。和你有一些可靠性问题处理3 d与非之前都没有。所以,我们认为这些问题是驱动测试从这个角度来看。”

我们不太清楚测试3 d XPoint非易失存储器技术由英特尔和微米,他指出。Teradyne专门测试HBM / HBM2记忆,Puhakka补充道。

看到一个趋势VLSI自动化测试设备是一个内部测试人员的发展走向英特尔、微米和其他公司。“当你看测试市场,有一块市场,是不存在的,因为它不是商人提供的供应商,“Puhakka说。“这就是为什么人们喜欢国家仪器和那些人做得很好,因为你买这些组件,你把它们放在一个架子上,构建一个测试界面,现在你让你的设备测试。”

在超大规模集成电路相关的区域,研究排名前五名供应商在2016年测试和老化的套接字。这是一个10亿美元的市场预期今年将增长12%。被电子领域领导去年销售额超过1.18亿美元。Enplas从2015年销售额增长32%,至9100万美元。后这两个供应商ISC国际/ ISC技术,史密斯互连(原名史密斯连接器),和LEENO工业。

效果显著使得内存测试的核心吃行,提供多个模型的集成电路测试系统组合不同类型的内存芯片。

”这个特定的段,测试方法没有那么多不同于我们所说的2 d NAND之前,人们一直在测试,”肯行Lai内存市场营销和业务发展主管美国效果显著,对3 d NAND闪存。“除了与3 d NAND内存密度大大增加。真的有努力获得低成本的测试解决方案。因此我们看到,有一个趋势在封装测试推高并行性。例如,现在很多人都朝着768年设备平行。而且可能有推动超越。现在,768并行性似乎是限制在市场上由于组件处理程序的限制。但即使这样特定的解决方案是太贵了。这些设备测试时间密度越来越高越来越长。人们正在寻找更便宜的类似类型的测试覆盖率,但是更便宜的成本。 There’s also a trend moving toward testing in burn-in chambers, where you can test thousands of devices in parallel.”

在晶圆测试级别变化不大。公司仍然朝着one-touchdown /晶圆。然而,由于3 d NAND闪存存储密度的增加,有一个需要测试人员执行更快的内存冗余分析和失败点上传离线分析为了保持测试时间可控的。

NAND闪存记忆通常最终在固态硬盘(SSD)或在eMMC等嵌入式存储设备,根据赖。“我们看到,eMMC过渡到全民闪存作为PCIe BGA (UFS)和ssd更快的性能在移动应用程序中,如高端智能手机,”他说。

“从最后一个/包测试的观点作为PCIe BGA UFS和ssd,我们看到人们采用系统级的测试策略,测试设备的存储系统,而不是个人NAND死和控制器死,”他说。“这些设备需要一个完全不同类型的测试结构。标准记忆测试驱动地址和数据模式并行接口不再为这些设备工作。相反,这些设备需要一个测试人员能够支持高速串行接口和协议UFS和作为PCIe。最好是,相同的测试人员将有能力支持设备类型。有一个产品我们可以支持这些测试需求。”

测试非易失存储器测试等磁阻的内存和相变的记忆像3 d XPoint NAND和DRAM相似。“趋势是利用相同的测试人员用于NAND和DRAM,”莱说。尽管如此,“有些差别。需要更多的电源电压范围较宽的技术。”

在DRAM应用程序中,LPDDR4/5内存芯片是用于高端智能手机,根据金Yokoyama效果显著的内存/存储营销经理和业务发展部门。HBM芯片和GDDR4/5记忆”不仅博彩市场正在蓬勃发展,但也有一些其他市场,如汽车、ADAS的东西,”他说。

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