下一代光刻技术在哪里?

半导体工程坐下来讨论光刻和格雷格•麦金太尔光掩模技术和先进模式部门主任Imec;哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主任GlobalFoundries;Uday Mitra副总裁和腐蚀的业务战略和营销主管单位和模式模块应用材料;Hayashi直,研究员戴日本印刷(DNP);的首席执行官d2。以下是摘录的谈话。

SE:简单地说,从你的角度来看,我们面临的最大挑战是什么行业的?

》:部分原因是成本。成本为最终用户是一回事而死。在掩模行业,我们必须做越来越困难的事情。我们要做的更便宜。这真的是越来越困难了。

哈亚希:这是一样的。客户需要在短时间内释放许多设备。他们在压力下,当然,mask-set成本和短的周转时间。这是两件事情我们战斗。此外,设备需求改变一点物联网和这些东西。

麦金太尔:没有一件事是最大的挑战。显然,有许多,许多挑战并行发生。总的来说,挑战在于如何协作和理解在邻近地区工作和进展。我们还需要了解如何最佳重叠我们专长和兴趣一起解决问题。

密特拉:成本和边缘位置错误可能是最大的挑战。你有设计和平。在流程方面,你有很多不同的材料。你也有很多不同的方案的使用这些材料。现在的问题是你如何存款和选择性地蚀刻。这些都是我们需要什么样的技巧和创新。

莱文森我明白了一些挑战。模式的材料方面,我们真的开始打击的分子规模必须考虑。有些人放一些想法。但这是一个需要投入大量更多的考虑。另一个担心我明显是电阻。随着时间的推移,我们不得不从铝更好的导电性铜。那里并不是另一个元素,可以给我们一个类似的推动。如此大量的工作要做,试图找出如何得到良好的导电性非常、非常狭窄的电线。再一次,这是我认为迄今为止已经有很少的工作。就足以知道我们有一个问题。 Much more has to be done to start turning the corner and working towards long-term solutions.

SE:现在,我想谈谈不同的光刻技术,如EUV, DSA、多波束、193海里浸泡和多模式。让我们先从EUV。的状态EUV是什么?我们将看到它在大规模生产7或5 nm ?

莱文森:首先,有点误导讨论节点,因为每个公司可能有不同的含义的球我们谈论的节点。但公平地说,EUV技术已经达到一定的成熟状态。如果你听英特尔最近的会谈,台积电和三星,连同GlobalFoundries,我们所有人都认同这一观点,即领导的事情,在两到三年内EUV将有能力使用在生产层面,当然对于一些接触和via-type层。通常,我们现在需要三重模式和四模式。

麦金太尔:显著提高源力量,在工具行业中,人们可以开始发展,创造了发展EUV激增。所有其他方面的技术需要下降,抵抗等材料。在化学放大抵制有进步,但也强烈激增替代材料已经发展在过去的一年。我们已经看到一些相当不错的进步。同时,面具,我们有一个薄膜。一年半前,那是不可想象的。但是现在,你看到细致的原型和概念的材料可能会处理高功率水平,我们最终将进入量产阶段。

今天SE: EUV掩模基础设施准备好了吗?

哈亚希:我们有一个五年的基础设施项目在日本开发EUV掩模检查区域。所以EUV掩模空白检验已经准备好了。但是我们仍然需要一个模式对EUV掩模检查功能。具体来说,薄膜,我们需要一个actinic-type检测系统。这是下一个节点的关键。同时,进展EUVL应该评估而不是与去年相比。它应该与当前目标相比,和目标移动。如果是推迟了一年,目标变得更加困难。

》:EUV也带来一些具体问题。关于面具本身,这是一个反思的面具。它有自己的OPC-type问题。暴露的特点是不同的在EUV掩相比ArF面具。有什么相似,但更严重的程度EUV。有几件事情的基础设施,当然可以。有薄膜的问题。现在没有光化性检验。这是一个关于这个问题的资金问题。直到EUV光刻一边准备,迫在眉睫,面具方面投资的程度和其他部分不会那么强劲。 I also see it from another side. By observing what the infrastructure side is doing and how they are investing, you can tell what the world is thinking regarding the reality of EUV and how far away it is. By looking at it that way, it looks like it’s getting closer. So everybody thinks EUV is getting closer.

SE:像光学面具,EUV掩必须检查。今天,做模式检查EUV面具,只有两个available-optical和电子束检测的解决方案。这些技术有一些缺点和分辨率的限制。我们需要对EUV掩光化性检验吗?

》:它需要行业资金。

麦金太尔:光化性检验不出现,虽然这将是致命的,使插入的EUV。人们可能会使用EUV没有它。但很明显,这是一个所有权成本的问题。

》:看的另一种方式。光学和电子束检验,你不能检查通过薄膜的面具。你必须拿下来,把它放回去。我发现人们非常怀疑消除薄膜和取代它。你也必须清洁它。

SE: EUV薄膜吗?我们需要他们吗?

哈亚希:关于最初的插入点EUV,我们可能不会使用薄膜。当然,在内存设备,这是可能的,因为他们有冗余。的逻辑,他们可能需要一个薄膜。在这种情况下,我们需要管理的薄膜与现有的检验系统。但是,有一种风险。

莱文森:真正的关心我是薄膜破损。当你有一个非常狭窄的频段的光被吸收在薄膜上,你会得到一个非常大的温度梯度。压力可能导致非常薄而脆弱的膜破裂。这才是真正的问题。每个人都明白这是一个问题。明亮的思想工作。我们只需要看看我们能找到解决方案。

SE:今天,ASML EUV工具都配备了一个80瓦的来源,使吞吐量75晶圆一个小时。但这个行业想要一个250瓦的源之前他们把EUV进入大规模生产。我们怎么相信你会得到250瓦,今年或明年?

麦金太尔:80瓦的来源,125瓦的来源是在运输的过程中。我们应该看到,今年年初。增加80瓦至250瓦的10个月是一个艰巨的任务。展示250瓦在ASML工厂肯定是可能的。但是需要时间推出的解决方案,使他们强劲,并带他们到字段。所以对于一个250瓦的来源,今年年底很有挑战性。明年可能是一个更合理的目标。

SE:当EUV进入生产,芯片制造商工厂可能需要互补的方法。193海里浸泡处理一些层和EUV会做别人。这将如何工作和挑战是什么?

密特拉:行业正走向做碎线/空间与SADP或SAQP使用浸。然后,你有EUV接触和通过。EUV可能会削减。这是一个地方EUV进来。做与EUV削减的原因是它可能消除一些多模式浸渍步骤。这个假设EUV大批量生产的能力。同时,它还必须经济意义。

麦金太尔:在某种程度上,你将开始看到EUV多模式弹出。如果你使用的尺寸我们称之为理想的它们被用于查阅它们的节点,这是约24海里金属音调,你可能需要做两个暴露通过。甚至一个或两个的削减。然后,如果你想获得20 nm-like鳍或某种模式,你看着自对准八倍的模式,或SAOP浸。另一种解决方案是EUV / SADP。所以,我们将所有的把戏一样我们在沉浸。

密特拉:你还有边缘位置误差问题。EUV当然可以减少它,但它仍然是一个巨大的挑战。成本将是一个重大的挑战在所有方面。

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