计量选择随着设备需求的变化而增加


半导体晶圆厂正在采取“全员参与”的方法来解决棘手的计量和良率管理挑战,结合工具、工艺和其他技术,因为芯片行业在前端向纳米片晶体管过渡,后端向异构集成过渡。光学和电子束工具正在扩展,而x射线检查正在增加。»阅读更多

高na EUV使EUV掩模的未来更加复杂


eBeam Initiative在2022年进行的第11次年度灯具调查报告称,EUV推动了半导体掩模行业的增长,而专家小组在9月底与SPIE掩模技术会议同时举行的活动中引用了转向高na EUV的一些复杂性。代表来自整个半导体生态系统的44家公司的行业名人…»阅读更多

利用机器学习提高产量


机器学习在半导体制造业中正变得越来越有价值,它被用于提高良率和吞吐量。这在数据集有噪声的过程控制中尤其重要。神经网络可以识别超出人类能力的模式,或者更快地进行分类。因此,它们被部署在各种制造过程中……»阅读更多

新型电子束检测和监测技术


在本文中,我们报告了一种先进的电子束缺陷检测工具(eProbe®250)和由PDF Solutions构建并部署到4nm FinFET技术节点的Design-for-Inspection™(DFI)系统。该工具具有非常高的吞吐量,允许在最先进的技术节点中在线检测纳米级缺陷。我们还提出了eProbe应用程序…»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷


几家供应商正在推出下一代检测系统和软件,用于定位极紫外(EUV)光刻工艺引起的芯片缺陷问题。每种缺陷检测技术都涉及各种权衡。但是在fab中使用一个或多个是必要的。最终,这些由EUV引起的所谓随机诱导缺陷会影响性能。»阅读更多

加快研发计量进程


几家芯片制造商正在对表征/计量实验室进行一些重大改变,在该小组中添加更多类似晶圆厂的流程,以帮助加快芯片开发时间。表征/计量实验室通常不为人知,是一个与研发组织和晶圆厂合作的小组。表征实验室参与了下一代的早期分析工作。»阅读更多

控制3nm及以上的变异性和成本


Lam Research执行副总裁兼CTO Richard Gottscho接受了《半导体工程》杂志的采访,讨论了如何在制造设备中利用更多来自传感器的数据,向新工艺节点的迁移,以及ALE和材料的进步,这些都可能对控制成本产生重大影响。以下是那次谈话的节选。SE:随着越来越多的传感器加入…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


三星和台积电这两家晶圆代工厂商的5nm和6nm工艺之争即将打响。与此同时,英特尔(Intel)在后面,正努力将10nm制程技术推向市场。(英特尔的10nm工艺相当于代工厂的7nm工艺。)上周,台积电宣布交付其5nm设计基础架构的完整版本。台积电的5nm技术基于finFET。本周,三星宣布…»阅读更多

EUV掩模准备挑战


《半导体工程》杂志坐下来与Imec技术人员的主要成员Emily Gallagher讨论了极紫外(EUV)光刻和掩模技术;哈里·莱文森(Harry Levinson), HJL Lithography的负责人;ASML先进技术开发副总裁Chris Spence;应用材料公司工艺开发高级总监Banqiu Wu;还有藤村昭,首席……»阅读更多

电子束检测和CD测量革新了显示器良率管理


在移动和电视应用对更高分辨率屏幕和其他功能需求的推动下,显示行业正在发生根本性变化。为了满足这些需求,本文中的显示技术路线图要求在材料、工艺和器件技术方面进行创新。关键要求包括更小的设计规则和采用一系列材料…»阅读更多

←老帖子
Baidu