标签:四模式

N7 FinFET自对准四模式建模
通过Coventor12月- 16,2019 -评论:0

本文模型鳍球场走基于流程模拟使用Coventor SEMulator3D虚拟平台。鳍的锥角核心引入模型与硅提供良好的协议数据。对各种自对准的影响模式评估流程步骤4倍。腐蚀敏感模式密度是复制模型中,并提供有关……»阅读更多

下一代光刻技术在哪里?
通过马克LaPedus- 3月31日,2016 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格雷格•麦金太尔光掩模技术和先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);Uday Mitra策略和营销主管副总裁兼布鲁里溃疡腐蚀……»阅读更多

下一代光刻技术在哪里?
通过马克LaPedus——3月17日,2016 -评论:4

半导体工程坐下来讨论光刻和格雷格•麦金太尔光掩模技术和先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);Uday Mitra策略和营销主管副总裁兼布鲁里溃疡腐蚀……»阅读更多

重置预期在多模式分解和检查
通过大卫阿伯克龙比12月17日,2015 -评论:0

第1部分中我说过这个话题,它从未停止让我有多少混乱和误解的时候多模式(MP)分解和检查。整个第一篇文章只集中在典型的主题我已经与客户讨论关于double-patterning (DP)。我必须告诉你,在部署triple-patterning (TP)和四-…»阅读更多

重置预期在多模式分解和检查
通过大卫阿伯克龙比10月- 22,2015 -评论:0

它从来没有停止让我有多少混乱和误解时多模式(MP)分解和检查。我有时会忘记新的主题在我们的行业。因为这短暂的历史,和有限的时间内设计师不得不获得任何详细的对其复杂性的理解,似乎有一些严重的脱节expectati…»阅读更多

EUV:成本杀手或者救世主?
通过凯瑟琳德比郡- 9月17日,2015 -评论:4

摩尔定律,半导体行业的经济基础,指出晶体管密度双打每一代技术,在固定成本。IMEC的丹Mallik解释说,然而,过渡到一个新的技术节点不是单一事件,而是一个过程。通常,当新技术首次被引进时,它带来了晶片成本增加20%至25%。过程选择……»阅读更多

技术说:10 nm模式
通过布莱恩•贝利8月- 20,2015 -评论:0

大卫•阿伯克龙比先进的物理验证方法项目经理导师图形,谈到三倍和四倍20/16/14nm后模式,设计团队需要了解什么能得到这个权利。(youtube视频= 7 bjutpwakpw)»阅读更多

在三星的铸造业务
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:0

半导体工程坐下来谈论铸造业务,工艺技术、设计和其他主题洪涛铸造业务高级副总裁(getentity id = " 22865 " e_name =“三星半导体”);和开尔文低,铸造营销高级总监三星半导体。以下是摘录的讨论。SE:铸造业务总是……»阅读更多

一对一:托马斯·考尔菲德
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

半导体工程坐下来谈晶圆厂、工艺技术和设备行业与托马斯·考尔菲德,高级副总裁和总经理工厂8 [getentity id = " 22819 "评论= " GlobalFoundries "]。位于纽约州萨拉托加县GlobalFoundries最先进,工厂8是300 mm晶圆厂。以下是摘录的讨论。SE:去年,GlobalFoundr……»阅读更多

巨大的变化在10纳米
通过埃德·斯珀林- 4月16日,2015 -评论:0

转移到16/14nm finFETs相对简单。搬到10 nm和7海里将完全不同。而双模式与颜色16/14nm而陡峭的学习曲线,报告从芯片制造商发展先进芯片技术和方法管理工程团队一旦开始工作。最难的部分是可视化不同部分如何…»阅读更多

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