在三星的铸造业务

半导体工程坐下来谈论铸造业务,工艺技术、设计和其他主题洪涛铸造业务的高级副总裁三星半导体;和开尔文低,铸造营销高级总监三星半导体。以下是摘录的讨论。

SE:铸造业务一直是具有挑战性的,每个节点的前缘正变得越来越困难。是什么改变了在铸造行业在最近一段时间吗?

郝:过去几年已经明显的铸造业务。这是革命性的。更重要的是,我们回铸造企业带来了竞争。

SE:你是指三星最近搬到使其14 nmfinFET技术投入生产?在那之前,英特尔是唯一一家制造finFET-based芯片。是这样吗?

郝:在过去的几年中,有很多的疑问三星是否能够提供这个。现在,我们实际上是在商业与14 nm节点。我们在与14 nm finFETs大规模生产。产品由14 nm finFETs已经在市场上。

低:我们也看到在市场中会发生变化。finFET竞赛非常激烈。明显的是现在有一个真正的为客户选择finFET技术。

SE:在最近的电话会议,三星高管指出,30%的公司整体300毫米是针对14 nm finFET的生产能力。同时,Pacific Crest Securities的分析师表示,三星将斜坡14 nm finFET今天容量从15000年到20000年每月晶片50000片/月到今年年底。三星在哪里增加其14 nm finFET过程?

郝:在生产方面,14 nm刚开始几个月前。现在我们有两个工厂在生产。有我们的S1在韩国工厂和S2工厂在奥斯汀,德克萨斯州。同时,我们在韩国S3工厂正在准备中。此外,我们授权向GlobalFoundries 14纳米技术,为客户提供了额外的采购的灵活性。

SE: 28 nm平面节点将是一个长时间运行的节点。然而,20 nm平面节点将会有一个短暂的生命。14海里呢?14 nm将长时间运行的节点或不呢?

郝:14 nm节点应该很长。

SE:该行业的整体14 nm finFET斜坡吗?

低:14 nm仍在顾客的早期阶段。有许多客户设计活动。但是我们肯定见过拾音器从我们的引导客户。我们谈论的是设计活动,产品和tapeouts。

SE: 14 nm finFETs的挑战是什么?

郝:有更多的复杂性,如多模式。随着时间的推移,这将不会是一个问题。将成熟的工具。

低:对设计师来说,多个模式是具有挑战性的。14 nm,我们正在做双模式。双模式,我们有两个面具。你有颜色和颜色b设计师需要了解如何设计与两种颜色,它们在过去从未经历过。

SE:还有什么?

低:对设计师来说,这是一个学习的过程。设计师一直非常熟悉平面技术架构。然而,finFET 3 d设备。现在,3 d通道电流。我们必须使它的3 d局部电流增加的数量。如果你做一个横截面,可以看到物理个人鳍。你需要学习如何与离散量化设备设计。这是新的东西。EDA社区帮助,因为他们正在设计过程中尽可能的透明。

SE:产品组合,三星也有各种28 nm批量过程。你也有28 nm完全耗尽的绝缘体(FD-SOI)技术。FD-SOI放在哪里?

低:超低电压finFETs的价值由于其完全耗尽设备架构。FinFET是方法之一。另一种方法做FD-SOI完全耗尽。这不是3 d - base finFETs。FD-SOI由非常低功耗属性的平面晶体管物联网类型的应用程序。除此之外,FD-SOI是身体偏置的额外优势。如果你在设计中使用身体偏压,可以利用广泛的权力/性能的全部潜力FD-SOI的属性。

SE:所以你选择哪一个?

低:有一个分裂finFET和FD-SOI应用程序之间。FD-SOI往往更主流的节点上。这样做的目的是避免双重模式成本可控。然而,它仍然提供了足够的性能,以及减少权力的好处。

SE: 28 nm FD-SOI与14 nm finFETs竞争吗?

低:没有。它补充14 nm。它们有着不同的密度。都有不同的成本点。14 nm finFETs创建更多的性能,较低的权力和更多的扩展。毫无疑问,14 nm finFETs会让你有更高的性能点28 nm FD-SOI相比。在电力方面,finFET还提供了低功耗的优点。然而,如果你看看总体成本,28 nm FD-SOI比14 nm finFET成本更低一点。根据末端市场,许多决策成本。

SE:回到前缘,三星也正在研发10 nm finFET技术。是什么使聚会吗?和三星10海里有多远?

郝:10 nm拥有相当大的权力,面积和性能优势。今天,我们已经有一个silicon-verified此后被释放,使设计流程的开发。大规模生产的10 nm节点预计到2016年底。

SE:你有多远?

郝:我们已经”(多项目晶片)航天飞机。我们已经内部测试芯片。我们有一些合作项目初期与客户。

SE:但是可以做多少铸造客户10 nm设计?有足够的客户呢?

低:足以吸引我们的注意力。在市场上有足够的兴趣。

SE:但是没有减少铸造客户前缘移动?

低:越来越多的合并发生。客户正在萎缩。为客户支付能力变得具有挑战性。

SE:行业增加16 nm / 14 nm finFET技术今天,10 nm定于2016年年底或2017年的某个时候。14日和10 nm如何在长期中起什么作用呢?

郝:他们将长期共存。

SE:不同的是你如何14 nm和10 nm finFET技术?你能评论你的10纳米技术?

郝:我现在不能评论。我能说的是,我们将继续多模式。

SE:双模式之后会发生什么?

低:当你进入模式三到四倍,颜色的数量上升。三重模式意味着你有三个颜色。四模式意味着你有四个。它变得更复杂,因为考虑的不同的颜色。之间的颜色,有公差,我们需要理解。也有讨论设计规则升级的数量成倍增长。

SE:台积电正自对准四模式和1 d布局在10纳米。为铸造客户1 d布局是什么意思?

低:这意味着你执行单向布局。有利弊。1 d意味着一旦实施限制,您可以控制变化。同时,减少了自由度布置你的ip。这是可接受的或不可接受的吗?您需要确保任何解决方案提供给客户,客户必须购买。

SE:所以看来多模式在这里留下来,至少在10纳米。是这样吗?

低:我们必须求助于浸多层次模式技术。没有其他办法解决。从那里,我们必须看到我们如何整合EUV。我们正在等待交付EUV。这种技术是生产价值,使用正确的工具和经济的正常运行时间每天吞吐量。我们需要EUV最终允许缩放和死亡或晶体管成本,回到正常的轨迹。

SE:有其他光刻技术解决方案在地平线上吗?

低:有很多研究定向自组装。该行业也一直在研究多波束电子束。每个人都有自己的优点和缺点。