多模式的真正含义是在开发和生产的成本最先进的节点?我们要找出答案。
转移到16/14nm finFETs相对简单。搬到10 nm和7海里将完全不同。
而双模式与颜色16/14nm而陡峭的学习曲线,报告从芯片制造商发展先进芯片技术和方法管理工程团队一旦开始工作。最难的部分是不同部分如何可视化分层一起跨多个面具,但是一旦工程师把他们信任的工具已经发展为了解决这一问题,它工作的很好。
有大好处finFETs移动,特别是在高性能的应用程序。泄漏电流自90年以来明显的纳米自65 nm和问题。虽然在28 nm FD-SOI已经解决了这个问题,需要密度和高绩效的公司必须移动到下一个流程节点如果他们想呆在一个平面架构。移动在16/14nm finFETs以最少的中断是一个进化改进设计到制造流程,和它将证明减少泄漏电流门的因为有更好的控制。
事实上,巨大的挑战与16/14nm finFETs不泄漏。这是学习生活与动态电流急剧增加,并能够管理热密闭空间的差异。温度不同的底部紧密比顶部的鳍,可随着时间的推移影响可靠性和信号完整性不时有沉重的计算工作量。
搬到10纳米是一个完全不同的故事。从双模式转移到更复杂的多模式是很多次了。大卫•阿伯克龙比先进的物理验证方法项目经理导师图形,1号解释说,问题是,基本表示平面图形的工具,但要解决的问题可能是3 d而不是2 d。第二,如果你颜色每个多边形drawn-which是设计工程师会买单——颜色可能是错误的。但回去和修复颜色改变将是一个噩梦。工具和方法必须全面更新。所面临的挑战是,在10纳米,超出了工具,过程和设计流程都是相互依存的,和任何一个改变将影响其他两个。特别棘手当你处理版幅新的过程和日益复杂的工具和方法需要更新同步。
更糟的是,有一个问题的铸造厂是否会选择三重模式或四模式,本质上是double-double-patterning。可能是会有一个混合,根据铸造,这意味着设计方法将成为foundry-specific。Abercrombie说启发式还将需要让所有的工作或者需要你的余生颜色30多个多边形correctly-basically赌概率与历史证明他们对或错。
下一代光刻技术的选择可能会帮助显著。所以可能不同的包装和建筑方法,包括2.5 d和3 d。但是不管什么方法最终采用半导体行业,之后是什么16/14nm将是更加困难比从28到16 nm / 14 nm如果你要画除了完美的矩形。即使是那些设计和制造将变得更加困难。
特定的权力和表现将继续主导决策设计的前沿。权力将继续是一个限制因素,这就是为什么我们有多核处理器和许多处理器设计。但随着复杂性在制造业方面继续上升和波及其他领域,成本也将开始浮出水面作为重要的讨论点即使在拉升起来的应用程序服务器或网络等硬件。此时没有人知道这将变得多么困难,这意味着没有人是肯定的价格会高。
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