标签:多模式

人工智能和High-NA EUV 3/2/1nm
通过马克LaPedus12月- 16,2020 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录的谈话。竞争……»阅读更多

多模式EUV与High-NA EUV
通过马克LaPedus2019年12月- 04 -评论:4

铸造厂终于在生产与EUV光刻7海里,但芯片客户现在必须决定是否使用EUV-based实现他们的下一个设计多个模式5 nm / 3 nm或等待一个新的单井网EUV系统3 nm和超越。这个场景围绕ASML目前的极端紫外线(EUV)光刻工具(NXE: 3400 c)和一个全新的EUV系统……»阅读更多

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

单和多模式EUV
通过马克LaPedus- 3月25日,2019 -评论:5

极端紫外线(EUV)光刻最终进入生产,但铸造客户现在必须决定是否使用EUV-based单一模式实现他们的设计在7海里,还是等待,而不是部署EUV多个模式5海里。每个模式方案都有独特的挑战,使决策更困难比可能出现。针对7海里,单一模式……»阅读更多

EUV掩模准备挑战
通过马克LaPedus- 3月21日,2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论极端紫外线(EUV)光刻和艾米丽·加拉格尔光掩模技术,技术人员在Imec的主要成员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;副总裁克里斯•斯宾塞在ASML先进技术开发;过程开发高级主管Banqiu Wu应用材料;和阿基》首席……»阅读更多

7纳米设计挑战
通过埃德·斯珀林- 09年7月,2018 -评论:0

ArterisIP泰Garibay,首席技术官,谈到搬到7海里的挑战,可能主管是谁,需要多长时间开发芯片在该节点,以及它为什么会这么贵。这也引发质疑:芯片将在7和5 nm开始分解。https://youtu.be/ZqCAbH678GE»阅读更多

设计规则的复杂性增加
通过埃德·斯珀林——4月19日,2018 -评论:0

变异,边缘位置错误,和各种其他问题迫使新工艺几何图形芯片制造商和EDA厂商面对日益复杂的体积越来越大,有时相互关联的设计规则,确保可制造的芯片。规则的数量增加了,这是不可能手动跟踪他们,并导致新的公关……»阅读更多

技术讨论:5/3nm寄生
通过埃德·斯珀林2018年2月- 22(-评论:0

Synopsys对此首席研发工程师拉尔夫•艾弗森谈到寄生提取5/3nm和什么期望与新材料和门结构如gate-all-around场效应晶体管和垂直纳米线场效应晶体管。https://youtu.be/24C6byQBkuI»阅读更多

2017年反思:制造业和市场
通过布莱恩•贝利12月- 28,2017 -评论:0

人们喜欢做出预测,大部分时间他们很容易,但在半导体工程,我们要求他们每年预测进行回顾和评估他们是多么接近事情的真相。看到他们错过了什么,让他们感到很惊讶。不是每个人都接受我们的报价评分,但今年很多人。这是第一次两个部分看了pred…»阅读更多

尚未解决的石版印刷问题7海里
通过埃德·斯珀林- 9月21日,2017 -评论:1

艾德·斯珀林&马克LaPedus EUV光刻的挑战是创建一个新组的光掩模方面目前没有简单的解决方案。在光刻技术被视为一个技术,[gettech id = " 31045 "评论=“EUV”)实际上是技术的集合。并不是所有的这些技术同样拥有先进的同时,然而。例如,畸变……»阅读更多

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