单和多模式EUV


极端紫外线(EUV)光刻最终进入生产,但铸造客户现在必须决定是否使用EUV-based单一模式实现他们的设计在7海里,还是等待,而不是部署EUV多个模式5海里。每个模式方案都有独特的挑战,使决策更困难比可能出现。针对7海里,单一模式……»阅读更多

内部FD-SOI和扩展


首席技术官加里•巴顿(getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”],与半导体工程讨论FD-SOI坐下,IC缩放、过程技术和其他话题。以下是摘录的谈话。SE:逻辑,GlobalFoundries航运14 nm finFETs 7海里的作品。该公司还准备22纳米FD-SOI技术与12海里FD-SOI……»阅读更多

下一代光刻技术在哪里?


半导体工程坐下来讨论光刻和格雷格•麦金太尔光掩模技术和先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);Uday Mitra策略和营销主管副总裁兼布鲁里溃疡腐蚀……»阅读更多

下一代光刻技术在哪里?


半导体工程坐下来讨论光刻和格雷格•麦金太尔光掩模技术和先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);Uday Mitra策略和营销主管副总裁兼布鲁里溃疡腐蚀……»阅读更多

技术讨论:三模式


导师图形的大卫·阿伯克龙比显示的差异和挑战在双模式与三重模式。[youtube视频= e0wZmjBbEf0]»阅读更多

重置预期在多模式分解和检查


第1部分中我说过这个话题,它从未停止让我有多少混乱和误解的时候多模式(MP)分解和检查。整个第一篇文章只集中在典型的主题我已经与客户讨论关于double-patterning (DP)。我必须告诉你,在部署triple-patterning (TP)和四-…»阅读更多

重置预期在多模式分解和检查


它从来没有停止让我有多少混乱和误解时多模式(MP)分解和检查。我有时会忘记新的主题在我们的行业。因为这短暂的历史,和有限的时间内设计师不得不获得任何详细的对其复杂性的理解,似乎有一些严重的脱节expectati…»阅读更多

EUV:成本杀手或者救世主?


摩尔定律,半导体行业的经济基础,指出晶体管密度双打每一代技术,在固定成本。IMEC的丹Mallik解释说,然而,过渡到一个新的技术节点不是单一事件,而是一个过程。通常,当新技术首次被引进时,它带来了晶片成本增加20%至25%。过程选择……»阅读更多

技术说:10 nm模式


大卫•阿伯克龙比先进的物理验证方法项目经理导师图形,谈到三倍和四倍20/16/14nm后模式,设计团队需要了解什么能得到这个权利。(youtube视频= 7 bjutpwakpw)»阅读更多

多个光刻选项仍然在玩


吞吐量和正常运行时间的EUV,覆盖193海里浸没式光刻技术的准确性,继续稳步改善,虽然也没有准备好10 nm生产,根据西方扬声器在半导体。ASML主任迈克Lercel、产品营销、报道几个EUV工具网站实现了70%的正常运行时间超过一个星期,和一个客户站点做了四个多…»阅读更多

←旧的文章
Baidu