抵制什么改善敏感性对EUV的商业生存能力意味着什么?
在一个最近的文章我援引15 mJ / cm2目标敏感EUV光阻,并讨论了吞吐量,可以实现在不同的功率源。然而,作为评论者,文章指出,达到15 mJ / cm²目标同时满足线粗糙度要求本身就是一个具有挑战性的问题。由于高能EUV光子,一个高度敏感的抵制将捕获一个相对较小的单光子的数量。光子在暴露的随机分布特性将不可避免地导致边缘粗糙度。出于这个原因,Moshe Preil GlobalFoundries的认为,生产抗需要不太敏感,甚至在50到100 mJ²/厘米。
那么抗拒变化的敏感性对整体EUV系统吞吐量意味着什么?我就这个问题请教了光刻专家克里斯•麦克和欣赏他的提示和简洁的回答。他解释说,每个晶片包括曝光时间的总时间+时间的开销。后者包括时间加速和减速阶段,,通常是非常小的。曝光时间(T ^暴露)是抵制剂量大小的函数(E ^大小),源动力,和一些设备的特定因素(k)。例如,每个反射元素EUV光学路径将引入额外的光学损失,实际上权力达到抵制将小于由源的力量。
如果吞吐量是曝光时间的倒数,然后时间开销很小,
吞吐量是近似线性正比权力来源和抵制的敏感性。这是非常坏的消息要告诉EUV倡导者。如果可接受的图像质量只能达到60 mJ / cm²而不是15 mJ / cm2抗拒,那么源力量将需要四。而不是一个80 W源能够提供50 wph,需要320 W来源。
抵制敏感性和线粗糙度的双重挑战有助于激励研究替代抵抗化学反应。有传统chemically-amplified抗拒路的尽头?这个问题之前我正在调查拒绝这小巷,和我的下一篇文章的主题。
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