下面让我们来看看今年将会发生什么——从电路和应用程序到材料和设备
第38届SOI会议马上就来。这是由IEEE电子器件学会主办的唯一专门的SOI会议，涵盖从材料到器件、电路和系统应用的全技术链。
今年由Gosia Jurczak (imec记忆项目经理)主持，这个优秀的会议非常值得参加。这是soi相关研究领域的巨头与行业前沿相遇的地方。但也有针对技术新手的优秀课程。这一切都在一种既强大又亲密的学院氛围中进行，远离媒体的聚光灯。
今年将于10月1日至4日在北京举行功绩度假村和水疗中心这是一家纳帕谷豪华酒店和度假村，坐落在起伏的山丘上，拥有自己的私人葡萄园。为这次会议找到合适的地点是关键。人们真正喜欢它的原因之一是，除了优秀的演讲者和演讲外，这些地点还有利于跨多个领域的非正式讨论和网络交流。今年的地点看起来是一个完美的环境，很容易到达硅谷。
2012年IEEE SOI会议将于10月1日至4日在加利福尼亚州纳帕谷的Meritage度假村和水疗中心举行。(图片来源:Rex Gelert)
会议包括一个为期三天的技术项目，一个短期课程，一个基础课程和一个晚上的小组讨论。让我们来看看今年都有哪些电影。
(你可以买到完整课程及注册信息的PDF来自网站。)
ARM的SOI专家Jean-Luc Pelloie主持了今年的技术计划委员会，该委员会为技术会议挑选了33篇论文。此外，还将邀请18位世界知名的工艺、SOI器件和电路设计与架构以及SOI特定应用(如MEMS、高温和抗辐射)方面的专家进行讲座。
以下是会议的概要:
年代短期课程:设计使能P线性FD & FinFET/Multi-gate(椅子ed的UCL & Leti)会议将于周一开始，由技术趋势、全耗尽设备物理、技术设计套件以及特定于FD-SOI的数字、模拟和射频设计方面的专家举行六场会议。
基础课程:FinFET物理学(主持ed的英特尔):周三下午，三个小时的会议将全面深入了解与多门fet相关的物理和过程。
FinFET是14nm工艺的唯一选择吗?(由Soitec担任主席)在总是很受欢迎的周三晚上野餐之后，小组讨论是一个热闹的，最受欢迎的活动。今年邀请的杰出专家- Scott Luning (GF)， Ali Khakifirooz (IBM)， Yang Du (Qualcomm)。和主持人Sorin Cristoloveanu(格勒诺布尔理工学院)将分享他们对行业FinFET路线图的看法。
总之，这是一件大事。如果你去了，为什么不在推特上分享你的印象呢? #SOIconf12， @followASN和@IEEEorg?当然，ASN将在我们的PaperLinks部分。在那儿见?
~ ~
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下回复