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标签:应变

生死攸关的压力成为一个主要问题
通过安Mutschler- 2021年1月14日-意见:2

在高级节点和高级包中，压力对于识别和规划变得越来越重要，在这些节点和高级包中，一个简单的不匹配就会影响设备的性能、功率和整个预计生命周期的可靠性。在过去，系统中的芯片、封装和电路板通常是分开设计的，并通过从模具到封装以及从封装到封装的接口进行连接。»阅读更多

2D材料的优缺点
通过凯瑟琳德比郡- 2019年2月27日-评论:0

尽管多年来一直有关于硅已达到极限的警告，尤其是在电子迁移受限的前沿工艺节点，但仍没有明显的替代品。硅在集成电路行业长达数十年的主导地位，部分原因在于这种材料的电子特性。锗，砷化镓，和许多其他半导体提供优越的移动性能。»阅读更多

在高级节点增加挑战
通过埃德·斯珀林- 2015年10月22日-评论

GlobalFoundries的首席技术官Gary Patton接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了新材料、堆叠芯片、FD-SOI可以扩展到什么程度，以及互连和晶体管的新方向。以下是那次谈话的节选。SE:你认为未来节点的问题在哪里?巴顿:在设备层面，我们必须能够对这些东西进行模式设计……»阅读更多

10nm之后是什么?
通过马克LaPedus- 2013年11月14日-评论:0

一段时间以来，芯片制造商在每个节点上都将晶体管数量增加了一倍，同时成本降低了29%左右。反过来，IC扩展可以实现更快、更低成本的芯片，最终转化为更便宜、功能更多的电子产品。消费者已经习惯了摩尔定律的好处，但问题是这种情况还能持续多久?基于芯片的…»阅读更多

移动性得到了扩展的Epi应用程序
通过应用材料作者- 2013年7月17日-意见:0

即使工业进入了高k金属栅极(HKMG)和FinFET晶体管的时代，芯片制造商仍在继续寻求提高器件性能的方法。应用材料公司今天宣布的最新进展之一是将外延沉积从PMOS晶体管扩展到NMOS晶体管。实现一个NMOS外延(epi)过程，除了estab…»阅读更多

GloFo称28nm FD-SOI芯片成本远低于28nm批量HPP
通过不同的作家- 2013年7月17日-意见:0

根据GlobalFoundries日本地区经理Shigeru Shimauchi的说法，对于相同的性能水平，28nm FD-SOI的模具成本将大大低于28nm批量HPP(“高性能+”)。具体来说，为了获得比28nm批量LPS PolySiON提高30%的性能，HPP增加了die…»阅读更多

VLSI京都- SOI文件
通过不同的作家- 2013年6月19日-评论:0

2013年京都超大规模集成电路技术和电路研讨会(2013年6月10日至14日)发表了一些突破性的FD-SOI和其他优秀的基于soi的论文。顺便解释一下，VSLI包括两个专题讨论会:一个关于技术;一个关于电路的。然而，在“大型联合焦点”会议上提出了与两者相关的论文。所有的文件都应该…»阅读更多

聚焦fd-soi, finfets在ieee soi会议
;10月1-4日，纳帕
通过不同的作家- 2012年9月25日-评论:0

第38届SOI年会即将召开。这是由IEEE电子器件学会主办的唯一专门的SOI会议，涵盖从材料到器件、电路和系统应用的全技术链。今年由Gosia Jurczak (imec记忆项目经理)主持，这个优秀的会议非常值得参加。这是巨人们…»阅读更多

Leti着眼于将Strain与FD-SOI用于高性能应用程序
通过不同的作家- 2012年6月29日-评论:0

Leti研究FD-SOI的研究人员在这方面拥有非常深厚的专业知识。他们研究的领域之一是提高成绩。随着人们对FD-SOI的兴趣在最近ST-GF宣布后迅速增加，他们的工作变得更加及时。一个关键的Leti团队写了一篇关于最近一些应变工作的总结，这首先出现在Advanced Substra…»阅读更多

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