标签:SOI联盟

FD-SOI边上
通过埃德·斯珀林- 03年1月,2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论FD-SOI世界变化的背后是什么,与詹姆斯羊肉、副首席技术官布鲁尔科学先进的半导体制造和企业技术研究员;乔治•Cesana,意法半导体技术营销总监;奥利维尔维特,高级副总裁兼首席技术官在屏幕半导体解决方案;在Soi和卡洛斯·马祖尔首席技术官……»阅读更多

在FD-SOI效果最好(第2部分)
通过埃德·斯珀林8月- 15,2018 -评论:0

半导体工程坐下来讨论FD-SOI世界变化的背后是什么,与詹姆斯羊肉、副首席技术官布鲁尔科学先进的半导体制造和企业技术研究员;乔治•Cesana,意法半导体技术营销总监;奥利维尔维特,高级副总裁兼首席技术官在屏幕半导体解决方案;在Soi和卡洛斯·马祖尔首席技术官……»阅读更多

不要错过耗竭科技研讨会期间IEDM (SF)
通过不同的作家2012年12月- 04 -评论:0

主编,阿黛尔神秘圣地,先进的衬底新闻~ ~如果你想穿过选择28 nm和周围的噪音以外,一个很好的起点是SOI联盟完全耗尽的技术研讨会。设计和制造的社区的一员,这是你的机会看到和听到行业领导者实际上是做什么。平面?F……»阅读更多

晶片领导人扩展全球SOI供应的基础
通过不同的作家10月- 16,2012 -评论:0

阿黛尔发布的神秘圣地,主编,先进的衬底新闻~ ~这是一个明亮的绿色光SOI晶片世界领导人的能力。Soitec,世界领导人在SOI晶片生产,和长期合作伙伴信越Handatai(医师),世界上最大的硅晶片生产商,延长他们的许可协议,扩大他们的技术合作。医师是12美元……»阅读更多

聚光灯下针对fd - SOI, IEEE SOI会上FINFETS
; 10月1日到4日,纳帕
通过不同的作家- 9月25日,2012 -评论:0

38 SOI年会即将到来。由IEEE电子设备的社会,这是唯一的专门的SOI会议涵盖完整的链从材料到设备的技术,电路与系统应用程序。今年主持Gosia Jurczak (imec记忆项目经理),这个优秀的会议很值得参加。的巨人…»阅读更多

在压力下Fabless-Foundry模型
通过埃德·斯珀林——6月26日,2012 -评论:0

由马克LaPedus半导体路线图曾经是一个光滑的和直接的路径,但芯片制造商面临坎坷的和具有挑战性的骑到20 nm节点迁移。看到地平线上的挑战是3 d堆叠的出现,450毫米晶圆厂,新晶体管结构,多模式和极端紫外线的可疑的可用性(EUV)光刻……»阅读更多

FD-SOI车间盈余- STM的1日28 nm FD-SOI产品线
通过不同的作家2012年3月- 12 -评论:0

SOI联盟第六FD-SOI车间,globalfoundries之后举行,取得了一些令人兴奋的消息。大部分的演讲都是免费下载的SOI联盟网站。这是亮点。意法半导体的一个很棒的演讲Giorgio Cesana意法半导体的营销总监,他透露,该公司将发布一个主要产品线b…»阅读更多

FD-SOI——最近的财团的结果(3)的第1部分:制造
通过不同的作家- 05年3月,2012 -评论:0

最近的SOI联盟基准研究关于28 nm和20 nm FD-SOI结果(silicon-calibrated模拟复杂电路的28 nm节点包括ARM内核和DDR3内存控制器)涵盖了很多内容。这篇文章是一个跳板的博客系列的第1部分,将突出重点对:1。制造;2。电力性能;3所示。20 nm基准…»阅读更多

设计的影响完全耗尽SOI
通过不同的作家2011年2月- 10(-评论:0

Soitec Xavier柯西、数字应用程序经理认为设计全耗尽SOI技术的影响,包括模型、低功耗soc技术,和其他问题在22 nm节点。“引人注目的模拟纳米尺度晶体管和硅数据变得可用。然而,当潜在用户意识到这项技术的许多利益,下一个问题……»阅读更多

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