ST首个28nm FD-planar硅成果;IBM的下一代Fin-on-oxide;ARM为两者设计。
由总编阿黛尔·哈尔斯发布，高级基材新闻
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如果你想在28纳米及以上的选择中脱颖而出，最好的选择是SOI联盟全耗尽技术研讨会。
作为设计和制造社区的一员，这是您看到和听到行业领导者实际在做什么的机会。平面?FinFET吗?联合会在大型会议期间举办这些专题讨论会已经有四年了，激烈的辩论总是随之而来。
(由希尔顿酒店及度假村提供)
下一届FD技术研讨会将于12月10日星期一在旧金山举行的IEEE IEDM会议的第一天举行th在8:15pm。很巧的是，会议也在同一栋楼里举行——旧金山希尔顿酒店。
来自意法半导体、ST-Ericsson、IBM、ARM、Altera、LETI、Soitec、MEMC等公司的顶级技术专家将讨论全面的全耗尽技术解决方案。
但也许最重要的是，我们会得到第一个产品级基准测试结果28nm FD-planar用于移动SoC和FPGA应用。这是那些正在做这件事的公司直接提供的硅防。
如果你一直在关注ASN最近的帖子扫描隧道显微镜，st - ericsson，IBM而其他人，你知道这些人对他们看到的结果非常兴奋。
以下是研讨会计划中的演讲:
演讲之后是问答环节。
门票是免费的，但座位有限，所以你必须提前预订点击这里进入专门的注册网站。
概括一下，它是:
全耗尽晶体管技术研讨会
旧金山联合广场希尔顿酒店(奥法雷尔街333号)
12月10日星期一th, 2012年
晚上8:15至10:30
提供食物和茶点。
我们不会都在旧金山，所以如果你去不了，报告将发布在SOI联盟网站上(你也可以在那里获得以前活动的演示文稿，以及优秀的白皮书)。
如果你想去Twitter上分享你的反应，请使用#FDchipTech和@soiconsortium。
这将是一个伟大的事件-不要错过!
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