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标签:st - ericsson

全球智能手机市场发生巨大变化
通过杰夫Chappell- 2013年12月9日-意见:0

从低成本移动多核处理器的普及中受益的不仅仅是消费者。芯片制造商正从亚洲乃至全球蓬勃发展的智能手机市场中获益。在多核智能手机应用处理器市场高通。以骁龙处理器引领潮流;今年上半年，它的市场份额为43%，为…»阅读更多

电源管理:发起挑战
通过弗兰克铁- 2013年2月28日-评论:0

最近大量质疑智能手机电池寿命的文章让我不禁发问:“我们准备好扭转功耗的局面了吗?”大约两年前，我还在哀叹我们愿意和一个只有一天电量的智能手机一起生活(《前进动力》或《月球漫步》)。到今天为止，一切都没有改变。我们还需要收费…»阅读更多

多核的疯狂
通过马克LaPedus- 2013年2月21日-评论:0

智能手机和平板电脑正在向新的、更快的应用处理器、基带、图形芯片和内存迁移。仅在手机芯片组领域，就有大量的选择和设计考虑。有些设备将应用处理器和调制解调器结合在同一个芯片上。有些是单独的设备。此外，架构范围从单一到…»阅读更多

ST-Ericsson的28纳米FD-SOI智能手机/平板电脑芯片
通过不同的作家- 2013年1月24日-意见:0

在上一篇博客中，我们以ST-Ericsson宣布NovaThorL8580 ModAp的消息开启了令人兴奋的一年。它被标榜为“世界上速度最快、功耗最低的集成LTE智能手机平台”，采用意法半导体28纳米FD-SOI芯片，将于2013年第一季度开始取样。我们说这是一个游戏规则的改变，ST-E把一个非常好的…»阅读更多

ST-Ericsson 28nm FD-SOI/ARM芯片在CES上达到2.8GHz
通过不同的作家- 2013年1月22日-意见:0

本文由Advanced Substrate News主编Adele Hars发布~ ~ 2013年是一个多么好的开始:在拉斯维加斯的CES上，ST-Ericsson发布了NovaThor™L8580 ModAp，“世界上最快、功耗最低的集成LTE智能手机平台”。这是意法半导体公司的28nm FD-SOI芯片，采样时间为2013年第一季度。对于用户来说，这是一个游戏规则的改变。»阅读更多

不要错过IEDM (SF)期间的全耗尽技术研讨会
通过不同的作家- 2012年12月4日-评论:0

由Adele Hars，主编，Advanced Substrate News发布~ ~如果你想摆脱围绕28nm及以上选择的噪音，一个很好的开始是SOI联盟的全耗尽技术研讨会。作为设计和制造社区的一员，这是您看到和听到行业领导者实际在做什么的机会。平面?F……»阅读更多

ST的FD-SOI技术可通过GF提供给所有人
通过不同的作家- 2012年10月8日-评论:0

2012年春天，意法半导体宣布将采用28纳米FD-SOI工艺技术，生产ST-Ericsson的下一代(非常成功的)NovaThor arm智能手机/平板电脑处理器。随着第一批样品将于今年秋天推出，ASN与Jean-Marc Chery对话，执行副总裁…»阅读更多

权力建筑师的崛起
通过埃德·斯珀林- 2012年8月9日-评论:0

他们被称为“权力沙皇”、“权力大师”或“权力架构师”，设计团队中的这一角色越来越重要，因为他们需要在整个设计过程中理解、管理和控制权力预算。因此，如今电源架构师的需求很高，电源架构团队的规模在一两年内翻了一番。驱动这种需求的高度……»阅读更多

用于ST的GloFo到Fab 28/20nm FD-SOI;ST Tech向GF客户开放
通过不同的作家- 2012年6月15日-评论:0

意法半导体最近宣布了两个重大消息:为了补充Crolles的内部生产，该公司已经与GlobalFoundries合作，大规模生产28纳米和20纳米FD-SOI移动设备;ST将向GlobalFoundries的其他客户开放其FD-SOI技术。大批量生产将与ST-Ericsson基于arm的2…»阅读更多

ST-Ericsson 28nm FD-SOI智能手机SOC, Q3试装(采访)
通过不同的作家- 2012年4月24日-意见:0

ASN最近有机会与ST-Ericsson的首席芯片架构师Louis Tannyeres讨论了智能手机和平板电脑soc转向28纳米FD-SOI的问题。主要信息:FD-SOI以更低的工艺复杂性解决了缩放、泄漏和变异性问题，进一步将CMOS技术缩小到28nm以上。他是这么说的。~~[标题id="attachment_441" align="alignleft" wi…»阅读更多

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