想要转向28nm FD-SOI的设计师现在有了他们的第一个代工选择
最近有两大新闻意法半导体宣布：
大批量生产将从ST-Ericsson基于arm的28nm NovaThor．
以下是新闻稿中的其他要点:
他们在说:
意法半导体(STMicroelectronics)企业副总裁，前端制造和工艺研发，数字部门:“FD-SOI非常适合无线和平板电脑应用，它使用传统的平面技术提供完全耗尽的晶体管优势，与GLOBALFOUNDRIES的这种安排确保了我们的客户将有一个安全的供应来源。”
意法半导体公司设计支持与服务副总裁Philippe Magarshack:“将库和物理ip从28nm Bulk CMOS移植到28nm FD-SOI非常简单，并且在FD-SOI中使用传统CAD工具和方法设计数字soc与Bulk完全相同，因为没有mos历史效应。此外，FD-SOI可以通过动态偏压电路的衬底，在相同的硅上实现极高的性能或极低的泄漏。最后，FD-SOI可以在低电压下以显著的性能运行，与Bulk CMOS相比具有更高的能效。”
GLOBALFOUNDRIES首席技术官Gregg Bartlett:“我们与ST有着长期的合作关系，包括联合研发和制造，以及在SOI技术方面无与伦比的专业知识。我们很高兴与ST合作，将下一代SOI技术推向市场，并使移动革命继续保持势头。”
虽然看起来这一切都发生得非常快，但ST公司已经倡导FD-SOI技术大约十年了。事实上，该公司的顶级SOI大师之一，高级设备项目总监Thomas Skotnicki，首先为我们写了关于它的文章高级基材新闻回到2006年．从那以后，我们一直定期报道。
要深入了解ST的FD-SOI设计和制造策略以及基准测试结果，请务必查看他们的白皮书．顺便说一句，设计师们要注意:他们还在白皮书中指出28nm FD-SOI工艺设计工具包(PDK)现已上市，目标是在2012年年中实现风险生产。SPICE评估模型目前可用于20nm节点，完整的PDK计划在2012年底前完成，风险生产将在2013年第三季度进行。
为了方便地访问数十篇由我们多年来发表的前沿贡献者撰写的有用且有洞察力的FD-SOI相关文章，请点击ASN网站上的FD-SOI标签．
看起来一扇新的门打开了，不是吗?
Fab 8位于美国纽约州萨拉托加县的路德森林科技园区，是GlobalFoundries新的300毫米晶圆厂，致力于先进技术。最大产能为60000片300mm晶圆/月。GloFo在德累斯顿和新加坡的晶圆厂也大量运行SOI(来源:维基百科)。
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