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st - ericsson 28 nm FD-SOI / ARM芯片在CES上2.8 ghz

世界上最快的背后的关键技术和低功耗集成LTE智能手机平台

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阿黛尔发布的神秘圣地,主编,先进的衬底的新闻

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2013年伟大的开始:在拉斯维加斯的CES上,st - ericsson宣布NovaThor™L8580ModAp。”世界上最快的和低功耗集成LTE智能手机平台”。这是一个与抽样的意法半导体的28 nm FD-SOI,定于2013年一季度。

这是一个改变游戏规则——为用户,设计师,铸造厂,精打细算。这是为什么。

NovaThor L8580集成了一个eQuad2.5 ghz处理器基于ARM cortex - a9,想象力PowerVR™SGX544运行频率为600 mhz的GPU和一个先进的多模LTE调制解调器在单一28 nm FD-SOI死去。

ST - ericsson NovaThor (TM) L8580圣的28 nm FD-SOI有2.5 ghz eQuad (TM)和超低功耗应用处理器。(礼貌:st - ericsson)

在eQuad CPU体系结构中,每个处理器核心可以作为高性能核心或很低的能量核心,根据我们所需要的。因为所有eQuad芯能够适应用户的需要在任何给定的时间,不需要专用的低功耗芯发现在其他多核CPU架构。记住,2.5 ghz核L8580移动行业最快的,或者相反,在0.6 v在低功耗模式下,该行业最省电。2.5 ghz核合作,期望的高性能当你做一些像浏览网页。但当手机的口袋里,这些权力的核心将几乎一口。

的NovaThor L8580本质上是一个直港由28 nm散装(成功)的28 nm FD-SOI NovaThor L8540,一点点的调整与FD-SOI充分利用很酷的事情你可以做,偏置提高性能和节约用电。

设计智能手机和平板电脑的人来说(最终用户),港口,FD-SOI得到NovaThor L8580:

  • cpu和GPU和多媒体加速器运行快35% 20%更快。的多媒体性能,他们支持1080 p视频编码和回放高达每秒60帧,1080 p的3 d摄像机的功能,显示了宽屏(1920×1200)以每秒60帧和摄像机20像素。(因此他们使用描述性的“非凡的”)。
  • 能耗比竞争对手低25%架构在高性能水平——认为冷却器运行时操作。
  • 低功耗模式可以提供多达5000 DMIPS 0.6 v -对于大多数应用程序足够多的计算能力在日常使用。关键的一点是,它使稳定存储器操作在0.6 v -你听说过任何匹配呢?结果是,这种低功耗模式少消耗50%的电力,提供相同的性能与散装CMOS替代解决方案。

这一切加起来大电池储蓄——这是额外的一天的CEO迪迪埃Lamouche答应我们去年在巴塞罗那当他们宣布这个芯片。

st - ericsson贴了一个神奇的视频,拍摄生活在CES上13。在第一部分演示(re: high-perf),三星Galaxy S3,他们有天空城堡3 d图形演示启动针对fd - soi的两倍体积等效,并触及2.8 ghz !在第二个演示(re:低功率),他们打1 ghz只用0.636 v,这将承担大部分1.1 v。

设计亮点

ST-E设计师,大多数的IP块直接从批量设计重用,所以移植FD-SOI非常简单和快速。

意法半导体制造的家伙们(从今年开始,在GloFo) FD-SOI平面技术,再利用90%的流程步骤中使用28 nm散装。FD-SOI整个生产过程是复杂的少12%,所以他们有较低的周期时间和减少制造成本(精打细算的注意,请)。他们还指出,制造工具比FinFETs所需FD-SOI更简单。

想知道什么呢?14 nm FD-SOI节点已经在开发中,手臂Cortex-A15对雷达的年代,FD-SOI路线图已经定义了10 nm节点。

FD-SOI,你可以做更多body-biasing(又名back-biasing)比你散装(遭受太多的泄漏)。由于FD-SOI超薄绝缘体层,下面的偏压创建一个埋门通道,所以它实际上就像一个垂直的双栅晶体管。这有助于电子的流动,导致体内较高的电压,和更快的晶体管的开关。(图片由st - ericsson)

使用FD-SOI,可以达到更高的速度较低操作电压。这是因为氧化埋层可以防止电子泄漏了它们穿过通道从源到排水沟(这种漏电功耗的主要来源在28 nm散装,这取决于掺杂处理泄漏)。有趣的是,这张图显示了ST-E下降到0.5 v,这非常让人印象深刻。(图片由st - ericsson)

(图片由st - ericsson)

(图片由st - ericsson)

(现在的获奖人在圣和Leti为我们描述几年前,设计一个好的SOC涉及使用正确的混合的低,标准和high-Vt设备根据目标应用程序和它是如何被使用在任何给定的时间。ST-E设计师使用此功能独立应用不同电压的顶部和埋盖茨FD-SOI晶体管,有效地改变其特征。通过选择最优组合的电压,晶体管特性可以转换的非常非常低功耗高性能的晶体管的晶体管。处理的核心建立这种晶体管可以操作好像实际上是两个核心——一个优化高性能和低功耗。(顺便说一句,你不能这么做FinFETs。)

发布:FD-SOI视频&白皮书

就像这个博客是上网,st - ericsson公布一个优秀的,深入的白皮书;与STMicroelectroics合作,YouTube视频详细FD-SOI如何和为什么。这是链接,你真的不想错过这些:

在移动平台多处理:营销和现实
在本白皮书,st - ericsson的马可Cornero和安德烈亚斯Anyuru”…说明和比较多处理的主要技术选择的移动平台,强调多处理之间的协同作用和破坏性FD-SOI硅技术用于即将到来的st - ericsson产品。”

介绍FD-SOI
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意法半导体和st - ericsson联手在这个优秀的视频,前4天内获得1250的观点在YouTube上发布。动画和比较突出FD-SOI为什么那么快,那么酷。

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