世界上最快的背后的关键技术和低功耗集成LTE智能手机平台
阿黛尔发布的神秘圣地,主编,先进的衬底的新闻
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2013年伟大的开始:在拉斯维加斯的CES上,st - ericsson宣布NovaThor™L8580ModAp。”世界上最快的和低功耗集成LTE智能手机平台”。这是一个与抽样的意法半导体的28 nm FD-SOI,定于2013年一季度。
这是一个改变游戏规则——为用户,设计师,铸造厂,精打细算。这是为什么。
的NovaThor L8580集成了一个eQuad2.5 ghz处理器基于ARM cortex - a9,想象力PowerVR™SGX544运行频率为600 mhz的GPU和一个先进的多模LTE调制解调器在单一28 nm FD-SOI死去。
在eQuad CPU体系结构中,每个处理器核心可以作为高性能核心或很低的能量核心,根据我们所需要的。因为所有eQuad芯能够适应用户的需要在任何给定的时间,不需要专用的低功耗芯发现在其他多核CPU架构。记住,2.5 ghz核L8580移动行业最快的,或者相反,在0.6 v在低功耗模式下,该行业最省电。2.5 ghz核合作,期望的高性能当你做一些像浏览网页。但当手机的口袋里,这些权力的核心将几乎一口。
的NovaThor L8580本质上是一个直港由28 nm散装(成功)的28 nm FD-SOI NovaThor L8540,一点点的调整与FD-SOI充分利用很酷的事情你可以做,偏置提高性能和节约用电。
设计智能手机和平板电脑的人来说(最终用户),港口,FD-SOI得到NovaThor L8580:
这一切加起来大电池储蓄——这是额外的一天的CEO迪迪埃Lamouche答应我们去年在巴塞罗那当他们宣布这个芯片。
st - ericsson贴了一个神奇的视频,拍摄生活在CES上13。在第一部分演示(re: high-perf),三星Galaxy S3,他们有天空城堡3 d图形演示启动针对fd - soi的两倍体积等效,并触及2.8 ghz !在第二个演示(re:低功率),他们打1 ghz只用0.636 v,这将承担大部分1.1 v。
为ST-E设计师,大多数的IP块直接从批量设计重用,所以移植FD-SOI非常简单和快速。
意法半导体制造的家伙们(从今年开始,在GloFo) FD-SOI平面技术,再利用90%的流程步骤中使用28 nm散装。FD-SOI整个生产过程是复杂的少12%,所以他们有较低的周期时间和减少制造成本(精打细算的注意,请)。他们还指出,制造工具比FinFETs所需FD-SOI更简单。
想知道什么呢?14 nm FD-SOI节点已经在开发中,手臂Cortex-A15对雷达的年代,FD-SOI路线图已经定义了10 nm节点。
(现在的获奖人在圣和Leti为我们描述几年前,设计一个好的SOC涉及使用正确的混合的低,标准和high-Vt设备根据目标应用程序和它是如何被使用在任何给定的时间。ST-E设计师使用此功能独立应用不同电压的顶部和埋盖茨FD-SOI晶体管,有效地改变其特征。通过选择最优组合的电压,晶体管特性可以转换的非常非常低功耗高性能的晶体管的晶体管。处理的核心建立这种晶体管可以操作好像实际上是两个核心——一个优化高性能和低功耗。(顺便说一句,你不能这么做FinFETs。)
就像这个博客是上网,st - ericsson公布一个优秀的,深入的白皮书;与STMicroelectroics合作,YouTube视频详细FD-SOI如何和为什么。这是链接,你真的不想错过这些:
•在移动平台多处理:营销和现实
在本白皮书,st - ericsson的马可Cornero和安德烈亚斯Anyuru”…说明和比较多处理的主要技术选择的移动平台,强调多处理之间的协同作用和破坏性FD-SOI硅技术用于即将到来的st - ericsson产品。”
•介绍FD-SOI
意法半导体和st - ericsson联手在这个优秀的视频,前4天内获得1250的观点在YouTube上发布。动画和比较突出FD-SOI为什么那么快,那么酷。
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