首席芯片架构师:工艺复杂度更低;解决结垢，泄漏和可变性问题
ASN最近有机会与ST-Ericsson的首席芯片架构师Louis Tannyeres讨论了智能手机和平板电脑soc转向28纳米FD-SOI的问题。外卖信息:FD-SOI以更低的工艺复杂性解决了结垢、泄漏和变异性问题，进一步将CMOS技术缩小到28nm以上。他是这么说的。
Louis Tannyeres, ST-Ericsson首席研究员、首席芯片架构师和系统硅开发负责人。
Advanced Substrate News (ASN):你能给我们介绍一下你所针对的市场的背景吗?
路易Tannyeres(LT):ST-Ericsson成立于2009年，是跨广泛无线技术领域尖端移动平台和半导体设计、开发和创造的行业领导者。今天，我们与收入排名前九的移动设备OEM制造商中的七家积极合作。
ST-Ericsson的产品组合涵盖所有细分市场，重点是中高端智能手机和平板电脑。
ASN:产品设计师(你的客户)在现有技术和消费者期望方面面临的挑战是什么?
LT:随着智能手机功能最近的发展，消费者的期望正在迅速提高。超高速多核千兆赫处理器、惊人的3D图形、全高清多媒体和高速宽带连接已成为高端设备的标配。
消费者希望这些功能能体现在一款轻薄、至少能和他们之前的手机一样耐用的设备上。对于我们的客户，产品设计师来说，这意味着我们需要以低功耗、低成本的方式提供高性能。FD-SOI正是一种能够满足这些需求的技术。
ASN:你认为FD-SOI会给这个平台带来什么优势?
LT:FD-SOI是一项目前可用于设计的技术，将使现有的28nm设计在性能和功耗方面获得显著改进。FD-SOI以更低的工艺复杂性解决了结垢、泄漏和变异性问题，进一步将CMOS技术缩小到28nm以上。
ST-Ericsson的NovaThor™系列是针对主流智能手机领域的集成解决方案，其中调制解调器和应用程序处理器被内置在一块硅片中。应用程序引擎使用最新的基于ARM®的多核cpu，优化提供最高的性能和支持先进的2D和3D图形内核。
ASN:你们的客户对这一大胆举措有何反应?
LT:真正的市场混乱只有在事后才能理解。我们相信FD-SOI是一种颠覆性的、真正与众不同的解决方案。FD-SOI的28nm解决方案是一个真正的机会，然后20nm作为关键技术的差异化。我们的客户对我们将在下一代产品中启用FD-SOI技术的消息反应良好。由于我们在意法半导体的晶圆代工厂采用了这项技术，我们也将我们在市场采用趋势方面的风险降到了最低。
ASN:将现有的设计从bulk移植到FD-SOI有多难?
LT:FD-SOI是一项目前可用于设计的技术，将使现有的28nm设计在性能和功耗方面获得显著改进。由于完全耗尽的设备，FD-SOI允许在极低的工作电压下快速运行-这是允许移动设备低功耗运行的关键特征。
通过对平面FD SPICE模型的重新表征，为大块CMOS技术开发的设计平台可以移植到平面FD。只有有限数量的关键ip需要调整或重新设计。
ASN:对设计流程有什么影响?
LT:描述全耗尽晶体管电学行为的方程与传统块状CMOS的方程不同，因此在平面FD上设计需要特定的提取甲板和SPICE模型。我们使用的模型现在集成在所有主要的商用模拟器中。除此之外，设计流程、方法和工具不需要任何特定的调整。
ASN:你认为在快速提高产量的过程中会遇到什么重大挑战吗?
LT:28nm平面FD制造技术与传统的28nm低功耗CMOS技术有很多共同点，意法半导体的策略是尽可能重复使用28nm低功耗批量CMOS工艺。该工艺的后端部分直接复制了28nm批量技术。流程的前端部分也主要依赖于直接重用来自批量技术的等效流程模块。只优化、添加或删除了几个步骤。总体而言，后端与传统的28nm批量低功耗CMOS工艺100%相同，而前端线(FEOL)与同一工艺有80%的相同之处。
ASN:你预计什么时候能有第一批原型机?
LT:FD-SOI将被引入ST-Ericsson的下一代产品中。目前，我们的第一批28纳米FD-SOI产品计划在2012年第三季度生产，预计在2013年开始生产。
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