SOI联盟的FD-SOI车间(globalfoundries之后)取得了令人兴奋的消息。这是亮点。
SOI联盟第六FD-SOI车间,globalfoundries之后举行,取得了一些令人兴奋的消息。大部分的演讲从SOI联盟的网站上免费下载。这是亮点。
在一个很棒的演讲由乔治•Cesana,意法半导体的营销总监,他透露,该公司将发布一个主要产品线基于平面FD-SOI今年28 nm节点。原型将在6月准备就绪。
的目标,他说,“…有一个令人信服的技术提供移动应用程序处理器的速度比赛。”
引人注目的是:他们的28 nm FD-SOI技术表演是61%高于可比的大部分技术1 v。它变得更有趣更低Vdd 0.6 v -吹嘘550%的改进。
从圣的演讲幻灯片32,28日& 20 nm FDSOI技术平台,在SOI联盟第六FD-SOI研讨会(2012年2月24日)。
看看表示-有良好的描述,详细的路线图(寻找产品在2014年20 nm FD-SOI),和清晰的比较。主题包括:
在FD-SOI设计可移植性高级主要为硅研发Betina持有,手臂在圣何塞强调易于移植现有的设计大部分FD-SOI。
FD-SOI,她得出结论,是完美的高性能、低功耗移动应用。
这里是她要点:
从手臂的演讲幻灯片29,FDSOI设计的可移植性,在SOI联盟第六FD-SOI研讨会(2012年2月24日)。
(你也可以读取臂的角度从散装FD-SOI在易于移植最近的ASN文章SOI技术的公司的董事,jean - luc Pelloie。)
有两个来自IBM的演讲,主要解决两种口味的耗竭对SOI结构:平面FD-SOI, FinFETs SOI。
演讲题为最近的进步FDSOI经理由布鲁斯·多丽丝设备集成在IBM研究,综述了各种设备的结构。他提出新的数据表明FD-SOI高性能的性能具有竞争力和更短的门口长度(Lg),并将规模远远超出20海里。
在SOI FINFET特伦斯提出的钩,在IBM的高级技术人员,相比之下,清晰和深度的特点和可制造性FinFETs SOI和大部分与其他SOI和主要结构。
在一个非常深入的介绍,FDSOI应变FDSOI 20 nm和下面的选项Olivier Faynot,引领创新设备实验室CEA-Leti,演示了如何使用的大多数现有技术与FDSOI大部分技术是兼容的。然而,他强调,FDSOI设备已经满足高性能的要求,尤其是在电路级。FDSOI未来的节点的一个独特的特性,他指出,是紧张的SOI晶片(sSOI -在顶层硅的紧张在晶圆级)尤其有效提振NMOS(离子场效应电晶体1.4 mA /µm - PFET 1.2 mA /µm @ Ioff 100 na /µm)。
使底物大量FD技术标准,由克里斯汀•Pelissier Soitec SOI晶片制造商,业务主管做了一个广泛的技术和体积晶片供应需求。Soitec现在制造晶片的FDSOI高级硅控制在+ / 5埃。
她看起来在晶片用于FDSOI以及部分耗尽SOI晶片(PD)已在大批量生产了十多年。她接着解释晶片的关键特性平面FDSOI (Soitec指FD2D),在晶圆SOI-based FinFETs (FD3D)。
幻灯片从Soitec 8的演讲,使衬底技术大量完全枯竭的标准,在SOI联盟第六FD-SOI研讨会(2012年2月24日)。
两个演讲不在线。安捷伦的布莱恩·陈(Accelicon)20 nm ETUTBB-FDSOI Rev3模型。(注意,20 nm FD-SOI逻辑评价模型卡现在可以通过SOI联盟在合作Accelicon /安捷伦。一个需要NDA。)
从加州大学伯克利分校教授Borivoje尼克里奇在FD-SOI微处理器设计。这显示了他们设计的平面FDSOI微处理器在今年晚些时候将录音。
而言之,这6日车间承认的现实平面FDSOI技术从28 nm节点。有很多相关的问题和讨论,确认承诺FDSOI持有成本效益和可靠的解决方案。
霍雷肖门德斯,SOI联盟执行主任总结道,这个研讨会是伟大的。“我们已经提供这些车间两年多了,”他说。“社区已经完全耗尽SOI从技术优势在实验室移动产品上的技术优势(ST)提出的。的成本、功率、性能和工艺性FD SOI是一个重要的推动力量。”
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