在FD-SOI效果最好(第2部分)

半导体工程坐下来讨论FD-SOI世界变化的背后是什么,与詹姆斯羊肉、副首席技术官先进半导体制造和企业技术研究员布鲁尔科学;主任乔治•Cesana技术营销意法半导体;奥利维尔维特,高级副总裁兼首席技术官在屏幕半导体解决方案;和卡洛斯·马祖尔首席技术官Soitec和SOI联盟的主席。以下是摘录的谈话。阅读第一部分,点击在这里。

唐森:詹姆斯·兰姆,Giorgio Cesana奥利维尔·维特马祖尔卡洛斯。

SE:偏压的变化是一个新的关注的领域。影响设计的如何?

Cesana:有许多的可变性来源。如果你把电源的偏见,有很多参数阈值电压和增益,但供应的稳定性影响的变化。你需要身体偏见来管理。但如果你做模拟偏差,你需要一个更健壮的偏见发电机比如果你只是做数码设计,添加额外的保证金等等。模拟设计师知道如何管理这一切很好。

马祖尔:这不是特定于FD-SOI。你用很多PVT模拟块。混合信号受这种类型的变化,或多或少的程度上,取决于技术节点和其他因素。

Cesana:在同一时间,你有很多机会。如果你考虑所有的PVT补偿你通常做在模拟电路设计,在你没有身体的偏见,你必须补偿电压。所以你把调节器的主要供应,这意味着可用电压模拟块低因为你必须删除你失去什么补偿电路。身体的偏见,你删除所有,所以你的模拟将会看到完整的Vdd摇摆,这是好的。你需要更好地控制身体的偏见,但这身体偏见Vdd的变异性方面的补偿。你减轻,你真的不补偿。你接触你想控制的参数,所以你可以得到更好的结果在end-smaller电路和低权力。

SE: 7/5nm我们现在处理噪音等问题,模拟设计师摔跤在过去。这是一个FD-SOI的机会。

Cesana:你可以选择更方便你必须做什么。与finFETs 7海里或未来的节点,解决方案是将一个大ADC和尽数字。FD提供杠杆还设计模拟和射频。如果你想让一个5 g模块在毫米波与波束形成,在天线方面是有意义的数字。但在电话里,在模拟低得多的力量。与finFETs你没有太多选择。FD-SOI,最后你可以减少权力。

马祖尔:但这不是一个选择7海里finFETs或28/22nm FD-SOI。我们在一个不同的工作空间。

SE:是的,但是我们是达成与异构计算的粒度级别,我们没有过去。

马祖尔:铸造厂提供28日或22纳米,在一天结束的晶片的价格必须有竞争力和吸引力,使用FD-SOI的额外好处。这是今天的情况。这就是为什么平板电脑这种技术越来越感兴趣。这些物联网应用程序厂商FD-SOI很感兴趣,。但成本问题不是真的很多应用程序首先要考虑的。我们已经成为一个非常power-centric行业。权力是游戏的名称。

维特:我们的工具有很多传感器,和我们的最新工具有24个房间。我们尽量降低成本与FD-SOI传感。在设备方面,这降低了我们的成本。

羊肉:我们在传感器业务。我们正在开发物联网技术或工业传感器,我们非常感兴趣FD-SOI进行处理,警报,各种状况的数据和发送回一个数据库。这个市场有两种截然不同的方面。在我们试图收集大量的数据和条件之前发送到云中的服务器,这是驾驶的另一边。我们认为双方都有很大的增长潜力。

SE:关键指标成本或权力,或都有?

羊肉:权力是我们主要关心的事。你可以有一个相当高的成本在某些市场,但要获得大量市场需要降低成本。不过,现在真正的问题是权力。

马祖尔:在一个演讲中,奥迪说权力约束是非常重要的在车里,太。

SE:我们基本上是与自主车辆车轮上的数据中心运行,对吧?

马祖尔:绝对,与智慧和有更多的传感器,它们都有低功率。我们需要FD-SOI因为我们需要一种超低功耗的能力。当我们添加更多的传感器,我们添加越来越多的本地节点计算。我们不能继续增加汽车的功率预算。相反,我们必须减少它。甚至大的系统集成商要求。

Cesana:就因为我们是28 nm和22纳米并不意味着没有限制的材料、设备和计量。我们正在处理非常复杂的设计,从这两个数字和模拟许多挑战。射频是越来越重要的。设计师总能适应和边缘设计,但每次我们增加保证金的额外成本和需要更多的权力。但这些还必须统一的线条和空间。该设备是关键。

SE:当我们进入异构computin,我们开始以不同的方式分区功能。所以你可以有一个RF-SOI或FD-SOI 10 nm芯片逻辑。用于什么应用程序?

Cesana:它总是既正确的技术选择。在过去,我们开发了一些先进的包装,客户说太贵了。也许这项技术不是测量,增加了成本。但是我们在生产2.5 d与硅光子学集成。光子学是针对fd - soi在一个芯片,电子接口BiCMOS另一方面,粘在一起。它变得更加复杂。一个包有两个或三个或四个不同的设备从不同的技术。

马祖尔:你可以选择其中一个,其中的一个。你有射频发射和接受。有不同的规格。今天,所有的这一切都是用RF-SOI技术。公司增加更多的复杂性。应用程序处理器非常复杂和peformance-driven finFETs。

SE:与衰老和可靠性会发生什么呢?在更多的高安全性的应用程序时,使用这些芯片做FD-SOI年龄标准批量CMOS一样?

羊肉:看来FD-SOI更可靠的在时间和在不同的温度范围内。但有些可能只是由于伸缩。如果你后退几纳米finFETs,他们可能更可靠。现在还不清楚。但是SOI热敏,它有更长的寿命。

马祖尔:空客还发现时更健壮的辐射。

维特:GlobalFoundries发现FD-SOI在22纳米汽车应用程序更健壮,。FinFETs迄今为止尚未automotive-certified,尽管我很惊讶如果这种情况不会发生。但FD-SOI已经。