三星铸造高管讨论了公司的战略。
洪涛铸造业务高级副总裁三星半导体,坐下来与半导体工程的未来方向,讨论晶体管、工艺、光刻等话题。以下是摘录的对话。
SE:三星最近推出了其10 nm finFET技术。看来,三星是全球第一家公司船10 nm finFETs在生产中,击败竞争对手一拳。是这样吗?
郝:10海里,我们宣布我们已经开始生产。我们将第一个生产10 nm节点。
SE:三星的第一代10 nm过程称为10简述。10 nm finFET技术带来什么,比14 nm finFETs吗?
郝:10 nm我们的客户带来很多好处的区域扩展,性能和权力或PPA。所以总的来说,PPA 14 nm相比改进是非常重大的。我们的性能相比,14 nm LPE区域和力量。14 nm LPE是我们第一代finFET技术。我们看到了面积减少30%的性能提升了27%或40%低功率相同的性能。
SE:之间有什么不同你14 nm和10 nm finFET技术的鳍结构和其他方面?
郝:我们正在改善鳍结构从14到10 nm。
SE:三星和双成像使用193 nm液浸式光刻技术在14 nm。在10纳米,三星是使用193海里浸泡。14日和10 nm之间有什么不同?
郝:我们介绍了三重模式选择方法,使设计更有效率。
SE:你能讨论互连节吗?这是一个真正的10 nm的后端?
郝:我不能给你更多的细节超出了我们已经提供。
SE:前沿的应用是什么?
郝:一般来说,在过去,我们已经与移动产品投入生产第一。之后与其他产品的消费者。最近,我们高度集中于网络、汽车和计算。
SE:三星10 nm制程的船?产品怎么样?
郝:soc产品为移动数码设备,将于2017年初公布。我们的货物会在今年开始。所以,我们10 lpe进入生产过程。再往下,我们此前宣布的第二代技术,10垂直距离。10垂直距离将与一个额外的增强性能的提升。生产时间表10垂直距离仍然是2017年下半年的正轨。
SE:你的一些竞争对手相信10 nm节点将是一个短或者干脆跳过它。任何想法吗?
郝:我们相信10 nm将是一个长期的节点。超过14 nm 10 nm将提供实质性的改进。
SE:接下来是什么?
郝:下一个节点是7海里。有很多混乱的行业7海里意味着什么。我们7海里是full-node比例从10纳米。这将是EUV-based。我们的7海里基于EUV总体PPA将会出现另一个重大飞跃。7 nm节点将是我们的一个重要节点。我们将有14 nm, 10 nm和7海里的过程。所有三个节点,我们相信,将长和主要节点。
SE:当三星将推出7海里?
郝:我们认为我们将保持典型的节奏。但我不能比这更具体。
SE:你的节奏是什么?
郝:这种约两年的节奏很适合我们的客户基础。
SE:台积电计划扩展193 nm和多个模式7海里。然而,三星计划插入极端紫外线(EUV)在7纳米光刻技术。这一战略的背后是什么?
郝:在这一点上,我们将靠墙是没有EUV和依赖只浸没式光刻。7海里,没有EUV,将推动技术太难。它将导致更高的掩模层数和制造更高的复杂性。它将导致更高的成本在设计和更长的周转时间在设计和制造阶段。这将导致一个更长的产品开发周期。
SE:底线是什么?
郝:7海里,没有EUV,将是一个昂贵的节点而言,不仅制造、晶片成本和掩模成本,而且设计成本和开发时间。7海里,没有EUV,将是一个短的节点。
SE:还有别的吗?
郝:我们向客户解释逻辑为什么7海里没有EUV将是短暂的。EUV出现时,没有理由有如此高的层数和复杂性。我们相信EUV-based技术很快将接管。
SE:不过,最大的问题是明确意愿EUV曾经发生吗?经过多年的发展,EUV还没有在生产中问题来源,抵制和面具的基础设施。现在,EUV是针对7海里。它可能跌至5 nm或完全失败。任何评论吗?
郝:我们相信我们在这里取得了很好的进展。这不仅是我们的系统LSI集团,而且我们的DRAM部门。在一起,连同整个半导体业务,我们一直非常积极参与推动EUV技术和生产准备。
SE:展望未来,铸造客户会有很多选择,比如14 nm, 10 nm和7海里finFETs。当然,三星平面28纳米技术,基于体积和耗竭绝缘体(FD-SOI)。所有的这些会如何上演?
郝:我们看到客户做决定基于他们的技术需求和产品。在28 nm,我们仍然有积极的活动。我们看到很多人仍然在14纳米的新设计。但是对于客户需求的高性能和更高层次的集成,他们肯定是搬到10纳米。这当然也适用于移动应用处理器。高性能计算和网络客户也很感兴趣。
SE:最近,GlobalFoundries宣布FD-SOI 12海里的版本。这与14 nm和/或10 nm finFETs ?
郝:我不评论,技术。
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点评:制造业的周(9月16日)
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