寻找秩序一片混乱。
有什么区别10 nm和7纳米芯片吗?
这应该是一个简单的问题。毕竟,数学是唯一的纯科学。但事实证明,答案不是science-even如果是数字。
在65 nm,客观地看,公司的流程节点定义第一金属层距的一半。40/45nm,开发新工艺技术的成本和难度攀升,和更加昂贵和复杂的设备需要制造芯片,竞争风险开始飞涨。而这些区别并不意味着结束市场购买这些芯片,差5 nm确实很难在竞争铸造第二来源的设计。通过改变线宽度、IP为一个进程特征不一定表现相同的方式使用不同的过程。
这个竞争激烈的分裂继续在32/28nm。但在20 nm,混淆了竞争力。尽管最高销售量的两个手机soc发展在20 nm,大多数其他芯片制造商20 nm视为一个糟糕的投资。泄漏电流高于28 nm, 20 nm需要双模式因为使用193 nm ArF浸没式光刻激光在22纳米达到极限。之后,EUV光刻应该接管,因为它有一个直径只有13.5纳米。但随着半导体世界知道,EUV已经比任何人预期的长得多。
而不是扔掉他们的投资在20 nm制程技术,商业铸造厂添加16 nm(台积电,现在中芯国际)和14 nm (GlobalFoundries,三星,现在联电)finFETs到20 nm back-end-of-line过程。这些芯片16/14nm,或20海里?这取决于你看的哪一边蛋。与此同时,英特尔已经从22 nm finFETs发达没有双模式,它使用14 nm BEOL 14 nm finFETs,过程和14 nm finFETs。
更糟糕的是。推到10纳米和7纳米提供了同样让人困惑的一系列的后端,前端的线,用一块新的中间线。但由于这些都是远远超出浸没式光刻腐蚀一个芯片的功能在一个通过,现在在80年和120年之间需要面具,每个稍有不同。所以7可以7.3 nm,或者它可能是6.8海里。
这变得如此混乱,事实上,这些比较现在几乎毫无意义。他们表示从一个进程进展到下一个,就像从Windows 7和8到10。它并不重要,微软Windows 9跳过。您通常想要最新的版本。在软件的情况下,更高的数字。在生产过程中,较低的数字。
但现实是,你不能比较7纳米芯片从一种铸造7纳米芯片从另一个铸造了。甚至铸造过程不具有可比性。IP开发人员抱怨说,1.0版本的过程并不健壮如pre-finFET节点1.0版本。
芯片制造商仍然选择流程技术基于最好的价格或服务担保或IP可用性或最快时间和保证硅能力。和过程的术语可能不太重要,特别是随着行业开始采用异构先进的包装技术。但它仍然很重要。这是一个参考点在一个高度混乱的行业。
不过,这些参考点需要调整和修改流程定义。所有需要做的一个行业标准组织可以建立一个数组的定义。所以这个问题为什么这个行业这么安静吗?
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