标签:摩尔

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

5/3nm战争开始
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:6

一些铸造厂加大他们的新的5 nm工艺在市场上,但现在客户必须决定是否设计他们的下一个芯片在目前晶体管类型或移动到一个不同的一个3 nm和超越。涉及移动扩展的决定今天的finFETs 3海里,或实现一个新的技术称为gate-all-around场效应晶体管(棉酚场效应晶体管)3或2 nm。一个进化步骤f……»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

FinFET计量挑战成长
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:1

芯片制造商面临着众多的挑战在工厂10 nm / 7海里,但通常是一种技术在雷达下变得尤其difficult-metrology。计量、测量和描述的艺术结构,用于确定设备和流程的问题。它有助于确保实验室和工厂的产量。在28 nm及以上,计量是一个简单的…»阅读更多

DSA重返得病的图片
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:1

由马克LaPedus和埃德·斯珀林定向自组装(DSA)正在回到模式不断挑战光刻技术在雷达屏幕上。英特尔继续有浓厚的兴趣(gettech id = " 31046 " t_name =“DSA”),而其他芯片制造商正在另一个硬看技术,根据多个业内人士。DSA不像传统[getkc id = " 80 " kc_name = "……»阅读更多

电子束检验使进展
通过马克LaPedus1月18日,2018 -评论:4

电子束检验在工厂生产的关键地区的影响力越来越大越来越难发现微小缺陷与传统方法先进的节点。应用材料,ASML / HMI和其他正在开发新的电子束检验工具和/或技术来解决一些更困难的缺陷问题在工厂。[gettech id = " 31057 " t_name = "电子束"]检查是tw之一…»阅读更多

新BEOL /摩尔突破?
通过马克LaPedus- 15,2017 -评论:1

芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点,但它变得更加困难。这个行业正在努力保持相同的接触和互联的时间表,这代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。尖端芯片晶体管,包括三个部位接触和互联。…»阅读更多

10/7nm的竞赛
通过马克LaPedus——5月22日,2017 -评论:4

在坡道16/14nm过程不断的市场,该行业正在准备下一个节点。事实上,GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电相互比赛船10 nm和/或7纳米技术。当前迭代10 nm和7纳米技术的扩展版本今天的16 nm / 14 nm finFETs与传统铜互联,high-k /金属门和性能diele……»阅读更多

在下一代的晶体管
通过马克LaPedus4月- 20,2017 -评论:0

首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name =“Coventor”],坐下来与半导体工程讨论了集成电路产业,中国、缩放、晶体管和过程的技术。以下是摘录的谈话。SE:在最近的一次圆桌会议讨论你谈到的一些集成电路产业面临的巨大挑战。你的一个大问题包括th……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu