更新。三星推出10 nm finFET技术。
10 nm finFET市场升温铸造业务,由于持续的大力发展先进芯片在节点。
不久前,英特尔宣布10 nm finFET的过程,计划在2017年增加的技术。然后,台积电最近推出了10 nm的过程,计划通过2016年第四季度进入生产。
现在,三星电子表示,它已经开始大规模生产系统级芯片(SoC)的产品10 nm finFET技术。另一个铸造供应商,GlobalFoundries,直接跳过10 nm和移动7海里。
与此同时,三星表示,它是世界上第一家公司的船10 nm finFETs,击败竞争对手一拳。“10海里,我们宣布我们已经开始生产,“洪涛说,三星半导体代工业务的高级副总裁。“我们是第一个生产10 nm节点。”
三星,谈论10 nm一段时间,认为技术是一个长时间运行的节点。英特尔也有类似的观点,但是台积电看到half-node 10纳米。“我们相信10 nm节点将是一个长期的节点,“郝说。
三星的10纳米技术,根据,是超过14 nm实质性的改进。三星的新10 nm finFET的过程,称为10简述,对其14纳米技术有几个优点。14 nm相比,它有一个面积增加30%效率更高的性能和更低的能耗分别占27%和40%。
正如所料,三星的10纳米技术将利用193海里浸泡和多个模式。更具体地说,它将利用triple-patterning允许双向路由集成电路设计师。
三星的介绍后第一代10 nm过程(10 lpe),公司的第二代过程(10垂直距离)是针对2017年下半年大规模生产。流程设计工具(此后)和IP设计套件目前可用。soc与10 nm制程技术预计将出现在2017年。
14和7 nm呢?
在推动10 nm, finFET市场也在16 nm / 14 nm升温。一段时间,GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电已经增加16 nm / 14 nm finFETs。
市场不久将有一个新的competitor-Taiwan联华电子公司(联电)。几年前,联电从IBM获得finFET技术。“联华电子的14 nm按计划发展进步,与许可的技术提高IBM的技术,”根据联华电子的官员。“14 nm finFET资格,并将在2017年完成。14 nm现在准备客户设计。”
14 nm和10 nm后,市场预计将迁移到7海里。GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电正在7海里。英特尔和三星希望插入EUV 7海里。三星,相信193海里浸泡和多模式过于复杂和昂贵的节点,促使EUV 7海里的必要性。
相比之下,GlobalFoundries和台积电和多个成像计划使用193 nm液浸式光刻技术在7海里。EUV不会准备在7 nm节点安排GlobalFoundries,台积电。
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30%的收缩是指常规存储器扩展,从0.070到0.049µm²。相比之下,英特尔的14 nm常规SRAM是0.0588µm SADP²。
我听人说三星已经超越了英特尔,但是你也可以看到它,三星需要2年的东西只是一个微薄的1.2 x更好但明显昂贵(三重模式做二维路由)。出一个不同的视角。