更多的EUV;Lam-KLA交易;finFETs;英特尔工厂专家退休。
在本周的情绪是什么学报平吗?“EUV情绪改善在芯片制造商ASML使进展HVM指标;然而,仍有许多对冲时间和准备。我们认为EUV采用可能是缓慢而渐进的,到2020年,”韦斯顿Twigg分析师说Pacific Crest Securities的在一份报告中。“为了让ASML更高水平的EUV采用其目标模型中概述(每年50 - 60单位),我们认为有意义的应用台积电和DRAM制造商需要适度的采用英特尔。在我们看来,DRAM采用可能风险更高,EUV DRAM制造商之间的发展出现大幅背后的逻辑/铸造。”
中国的另一个挫折吗?首先,美光科技被中国拒绝了收购。现在,中国的Unisplendour /大学联盟终止其份额为15%的股份购买协议吗西部数据公司。因此,西部数据公司提出的收购行动SanDisk减少从每股78.50美元每股亏损86.50美元。“终止的直接结果的决定在美国外国投资委员会(CFIUS)进行的调查提出投资Unisplendour /大学联盟,”马克•巴克曼认为,分析师ITG投资研究。
林研究的股东批准拟议的交易吗收购KLA-Tencor。现在,该协议必须得到监管部门的批准。
执行副总裁里克•Gottscho Lam的全球产品在102年的新成员吗尊敬的选举国家工程院(美国)。
应用材料宣布罗伯特·维瑟已收到2016年特别认可奖从社会的信息显示。这个奖是颁给他的开创性研究和商业化新OLED显示技术相关,液晶材料和障碍的电影,包括封装技术的OLED和柔性显示。
佳能已经加入了的eBeam倡议。此外,eBeam倡议,一个论坛致力于新的半导体制造方法的教育和推广基于电子束(eBeam)技术,将扩大其教育努力支持极端紫外线(EUV)光刻,nanoimprint光刻(NIL)和多波束面具写作。
NuFlare技术本周去皮覆盖在其即将到来多波束面具的作家在日本,目前在α测试。喜忧参半- 1000,计划于明年上映,将用于5 nm芯片,而后续产品,喜忧参半- 2000是定于3 nm和定于2019年。
北美国的半导体设备制造商公布6项比1月份的1.08,高于前一个月的1.00,根据半。
三星电子说,Exynos 8八面体,其第二代移动处理器基于14 nm finFET技术,意志力的最新三星Galaxy S7和S7边缘线的移动产品。此外,三星是生产行业首个256 g (GB)基于嵌入式内存通用闪存(UFS) 2.0标准为新一代高端移动设备。
英特尔最大的制造业执行即将退休。威廉·霍尔特的执行副总裁和总经理英特尔科技和制造业集团(TMG) 2016年6月退休的计划,有效的。霍尔特是42年英特尔的老兵。霍尔特转变他的责任Sohail Ahmed TMG的高级副总裁兼总经理,和安·凯莱赫TMG的公司副总裁和总经理。
全球半导体行业的资本支出预计将显示较低的个位数增长2016年注册在2015年下降1%后,根据集成电路的见解。去年的半导体产业资本支出下降显著偏离历史模式,返回超过30年。
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