乐观增长的EUV和多波束面具作家,据调查。
eBeam倡议今天发布了其年度成员的认知调查,一组结果,揭示了一些新的和令人惊讶的数据EUV,多波束和光掩模技术。
的一部分新的调查结果,有一个乐观的增长水平实施极端紫外线(EUV)光刻在大批量生产,相比去年的结果。此外,乐观也是建筑多波束电子束光掩模技术写作,根据新的调查。
除此之外,eBeam倡议还发布了一个新的、独立的商人和俘虏面具制造商的调查中,这表明光掩模的复杂性和时间写时光会一直持续下去。
说:“面具制作越来越难阿基》d2的首席执行官。“大一点是复杂性增长面具制造商。”
的eBeam倡议是一个组织,为电子束技术提供了一个论坛。蔡司在另一份声明说,它已经加入了eBeam倡议。
过去几年,eBeam主动发布了成员的认知调查。今年,组织还拿起面具的残余制造商的调查,此前由Sematech处理。Sematech中断2013年的调查。
同时,64代表35种不同公司的行业专家参与eBeam倡议今年的传统看法的调查。
在这个调查中,多波束电子束面具写作升温。约62%的受访者预计,面具制造商将开始使用多波束电子束光掩模技术生产到2016年底。此外,96%的面具制造商表明多波束电子束工具将用于高容量的面具写作到2018年底。
面具制造商希望多波束电子束技术有充分的理由。今天的单光束电子束工具改善,但他们只是勉强跟上复杂的面具。仍在研发阶段,多波束电子束技术承诺要解决的关键问题面具写倍行业移动到更小的几何图形。
与此同时,根据今年的结果,EUV的情绪变化。在去年的调查中,60%的受访者相信EUV不会用于大批量生产,直到2017年或更长。相比之下,55%在2013年的调查。与此同时,在去年的调查中,35%的受访者表示,EUV光刻永远不会被使用,比2013年调查的22%。
在今年的调查中,调查eBeam倡议五下一代光刻技术(天然气凝析液)技术。受访者预计,EUV将用于至少一个生产步骤,到2020年,平均62%的信心等级。
EUV信心最高评级的调查,随后在order by nano-imprint (45%)、DSA(41%)、互补的电子束光刻技术(36%)和电子束直写(26%)。
“这是绝对清楚,EUV是该行业的领军人物,“d2”》说。“一般来说,信心EUV自去年以来上涨了。”
EUV正在取得进展。例如,ASML报道,EUV电源操作在80至90瓦,相比一年前10瓦。不过,这个行业想要一个250瓦电源EUV进入大规模生产。
也有挑战EUV抗拒和面具的基础设施。说,目前还不清楚如果EUV将上市窗口7 nm节点。
但即使EUV发生,面具将继续变得更复杂。最新调查显示,59%的受访者预测EUV将驱动需要复杂的面具的形状。
更多的数据
与此同时,eBeam倡议还透露首次面具制造商的调查的结果。参与此次调查AMTC、DNP GlobalFoundries (IBM),球兰,光电池的,三星、中芯国际和凸版。
据调查,每个面具的面具数量设置在每个节点增加。在180 nm,例如,平均28面具面罩。从平均49个面具跳的面具为32纳米,在22纳米57,16岁和60 nm,据调查。“这并不奇怪,这是稳步上升,“d2”》说。“这基本上是一个函数的多个模式。”
展望未来,每个面具的面具数集预计晚上11 nm和77年跃升至67不到11纳米,据调查。
和之前一样,电子束写时间增加。从2001年到2005年,电子束写时间常数,平均每8小时面具。由于面具复杂性,写次自2011年以来增长了约25%。
根据新的eBeam面具调查,平均面具写时间超过九个小时马克(9.6小时),而最长的报道写的时间是72小时。“范围是18到72小时,根据被申请人,”》说。
一个掩模层的平均数据文件大小范围从3 - 100 gb,据调查。一个掩模层的平均数据文件大小是38 gb。此外,绝大多数(75%)的面具制造商预测,他们将在2017年在每张照片的基础上调节照射剂量。
完整的二者的结果是可用的下载在这里。
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轻微的偏见:eBeam倡议pro-EUV因为它提供了机会写小特性的面具。