ReRAM收益蒸汽

电阻RAM似乎获得牵引力。曾被认为是一个普遍的候选人替代DRAM内存,flash和SRAM-ReRAM雕刻出一个利基在DRAM和内存存储类。现在的问题是如何大,利基最终变得和其他竞争技术是否冲进那个空间。

ReRAM(或者称为RRAM),是一种非易失性内存获得注意力在2009年开始启动统一半导体出现在隐形模式。Rambus在2012年买下了团结,因为它是对下一代的竞争者之一的内存技术,以及铁电随机存储器(FeRAM)和磁阻的内存。ReRAM也被认为是一个可能的替代2 d NAND flash,和其他内存类型。

此后,多个竞争对手进入ReRAM业务,这似乎验证潜力。

“我曾在内存中所有的事业,多年来这是瞧不起无聊,”加里·布朗说,副总裁Rambus实验室。“今天是领先的创新。这是非常令人兴奋的。”

他不是独自一人在这一观点。“这是一个非常激动人心的时刻在内存业务,“大脑侧杜布瓦说,战略营销的副总裁横梁。

是什么让ReRAM如此有趣的是其他内存的限制选择。DRAM快速存取存储器;快闪记忆体,慢三个数量级;还有内存存储类。存储类的内存,这个词最早由IBM几年前,有一个巨大的影响计算效率。

“我相信缺口可以由两个或三个不同类型的ReRam,和可以看到一个真正的减少的体积动态随机存取记忆体正在使用,”布朗说。“这将对该行业有非常重大的影响。架构师非常擅长利用发展。他们已经利用层次结构的内存芯片和芯片芯片。”

有一个不错的替代记忆类型列表,所有依靠双稳态材料的存储元件,电阻变化。Rambus正在与一个多层金属氧化物结构,改变电阻将离子注入材料。

横梁采用银原子悬浮在一个非晶硅矩阵。写电压下,原子从一个顶级银层迁移到矩阵形成导电金属丝的桥梁。“这些细丝直径只有3海里,但创建一个非常大的开关比,”杜波依斯说。该公司发表了7海里看细胞的结果。

另一个选择,广泛宣传涉及相变材料,这取决于材料融化,然后冷却,或快或慢,创建结晶或无定形的阶段。布朗在这些材料的选择方面,观察到的物理相变材料可能是最好的理解。”

然而,thermal-based解决方案有一个岩石历史在半导体行业,从热辅助磁记录(HAMR)净化的液晶显示器。问题是,热扩散,所以邻居之间的串扰和直流加热部分,取决于工作周期。

“许多人喜欢其他材料相变由于这些原因,”布朗说。“然而,英特尔和微米率先在这些材料工作,大概是因为设备的物理理解要好得多。”

最后可能会限制热相变装置降低带宽和更高的力量,根据杜布瓦。

除了材料的选择,也有架构的选择。尽管闩收到了很多宣传,1 transistor-1存储单元类似于DRAM是许多人开始的地方,特别是对于嵌入式内存。它使集成更简单,给最好的访问时间。

“你可以添加新材料常规设备处理完成后,”布朗说。

闩给更高的密度和单一访问点,但在每个块的大小是有限的横杆。这是一个古老的多路显示类似的问题,在细胞数量取决于开关的非线性。

第三个选择是一个3 d堆栈。一种可能性是多层的闩,但这需要在每一层光刻。更有趣的是,在布朗看来,是“一个相当于3 d与非,一个平步骤创建一个垂直串存储细胞。3 d NAND flash将允许继续规模五到七年,然后新材料将有机会。”

惩罚的形式存储字符串不再是一位访问,所以记忆减慢。不同的访问时间和成本结构可以从单一,结果字节,和多字节架构。

杜布瓦强调,横杆和3 d晶体管都需要多路1到N细胞结构,进而意味着每个细胞必须有一个非线性元素。一些团队使用二极管与每一个细胞,但横梁已经演示了一个细胞,都有自己的非线性。

谁将赢得什么?
“最令人印象深刻的进步是由英特尔披露/微米伙伴关系在夏季时描述了128 gbit芯片3 d XPoint”记忆,”布朗说。“甚至考虑建立一个设备的大小,需要一个非常成熟的过程和缺陷控制水平。”

英特尔前一个抢跑了相变内存。公司明确表示,这项技术已经发生了变化,但是并没有详细阐述,根据业内人士。

搜索美国专利申请专利和贸易办公室数据库发现横梁记忆材料专利应用程序直到2012年分配到微米,专注于金属硫族化物相变系统,这表明3 d XPoint很可能是一种改进的相位变化系统。

在宣布英特尔声称“横梁结构比NAND闪存快1000倍和10倍DRAM的密度。“公司还显示有图案的晶片,讨论运营制造厂在犹他州,明年和表示,它计划出售的产品。

松下目前销售钽氧化物ReRam嵌入flash替代芯片上的静态内存。

Rambus购买统一的ReRam IP半导体在2012年以33美元的价格,和已授权IPto政党。统一了超过22美元,创造了145项专利。

“Rambus也与许可,如Tezzaron,创建嵌入式闪存产品,”布朗说。“许可的重点是建筑和材料。”

专利搜索显示这些材料是金属氧化物。

在其他地方,在创业公司的世界里,横梁9月14日宣布,已经完成了3500万美元系列D一轮融资,把到目前为止的总投资为8500万美元。横梁计划利用这笔资金继续“改变游戏规则的非易失性的商业坡道(NVM)内存技术。“IEDM早在2014年,该公司公布一个设备架构,”已经成功地在一个4兆比特集成3 d堆叠的被动横梁数组。”

杜布瓦说横梁收到它的一个晶圆生产制造合作伙伴。“新资金将使我们能够把产品和嵌入式RAM货架横梁前进。”

看来,各种竞争对手之间的差异主要是存储材料的选择决定能力,访问时间,读/写周期和细胞大小。这是一个竞争,需要雄厚的财力,和小球员们依靠能够使用现有的晶圆厂与行业巨头竞争谁能资助一个定制的工厂。