标签:电阻随机存取存储器

隐藏安全密钥使用ReRAM PUFs
通过凯瑟琳德比郡- 4月21日,2022 -评论:2

电阻RAM和身体unclonable函数(PUFs)已经获得牵引出于完全不同的原因,但是当他们创建一个非常安全的和廉价的方式存储身份验证密钥。因为安全问题从纯粹的软件转移到硬件和软件的结合,芯片制造商和系统公司一直在努力找出如何预防…»阅读更多

驯服小说NVM非确定性
通过布来安梅奥2020年3月- 10 -评论:1

新的内存技术可能不确定的特点,添加校准测试负担,一生中可能需要调整。这些记忆是发展的结果搜索记忆存储类(SCM)技术,桥梁之间的差距大,记忆像flash和更快的DRAM内存慢。有几个出路……»阅读更多

单片机的困境
通过布莱恩•贝利2020年2月- 13(-评论:2

卑微的单片机各方挤压。虽然大多数半导体行业已经能够利用摩尔定律,单片机市场摇摇欲坠,因为闪存不规模超过40 nm。同时,语音激活和更丰富的传感器网络等新功能要求推理引擎集成市场。另一方面,再保险……»阅读更多

下一个新的记忆
通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

内存计算
通过埃德·斯珀林- 08年8月,2019 -评论:1

吉迪恩Intrater,首席技术官Adesto技术,谈到为什么内存计算现在又认真了,年后首次提出作为一个可能的选项。在数据改变的是爆炸,承认太时间和能源密集型的发送数据之间来回所有的记忆和处理器在同一芯片上,更不用说和云。在…»阅读更多

在制造和测试STT-MRAM挑战
通过马克LaPedus2019年5月- 07 -评论:1

一些芯片制造商加大新一代内存类型称为STT-MRAM,但仍有各式各样的对当前和未来的设备制造和测试的挑战。STT-MRAM或自旋扭矩MRAM是吸引力和日益活跃,因为它结合了几种常规内存类型的属性在一个单一的设备。多年来,STT-MRAM特性…»阅读更多

电力/性能:2月26日
通过杰西·艾伦- 2月26日,2019 -评论:0

综合RRAM边缘AI CEA-Leti和斯坦福大学的研究人员已经开发出第一种电路集成多位非易失性RAM电阻(RRAM)硅计算单位,以及新的内存弹性特性,提供现有RRAM容量的2.3倍。概念验证芯片的单片集成两个异构技术:18 kb的片上……»阅读更多

周评:设计
通过杰西·艾伦2018年5月- 11 -评论:0

并购IoT-focused内存芯片制造商Adesto技术获得了S3半导体、提供者的混合信号和射频asic和IP。总部设在爱尔兰,S3半导体成立于1986年。S3半导体将成为一个业务单元的Adesto并将继续运行在当前模式下3500万美元的交易。S3半导体的母公司,S3集团将继续作为一个独立的…»阅读更多

ReRAM怎么了?
通过马克LaPedus- 9月21日,2017 -评论:8

电阻RAM (ReRAM),少数几个正在开发新一代的记忆,终于获得牵引经过多年的挫折。富士通和松下共同加大第二代ReRAM设备。此外,横梁抽样40 nm ReRAM技术,这是由中国的中芯国际在铸造的基础上。不甘示弱,台积电和联华电子最近把ReRAM……»阅读更多

神经形态芯片Biz升温
通过马克LaPedus- 1月21日,2016 -评论:0

这已经不是什么秘密,今天的电脑是在努力跟上数据处理和带宽的巨大需求,和整个电子行业正在寻找新的方法来启用。传统的方法是继续推动今天的系统和芯片的限制。另一种方法是去了非传统路线,包括一个古老的想法,产生牛排……»阅读更多

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