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FOWLP死材料解决方案转变和薄片弯曲

FOWLP技术,许多过程因素发挥作用在考虑最好的焊接/脱胶方法。

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在雪莱福勒

今天的扇出wafer-level包装(FOWLP)过程中使用有机基质组成的环氧模具化合物(EMC)创建使用热压缩过程。EMC晶圆是一个具有成本效益的方式来达到更低调的包不使用的无机基质生产芯片包更薄更快而不需要插入器或through-silicon-vias (tsv)。

一种包装方法使用嵌入式死技术(eWLB)为FOWLP chip-first (mold-first)模具组装在一个中间面配置航母晶片。在这种方法中,死亡是铜撞,平放在临时载体。over-molding之后,EMC磨允许访问现在暴露铜疙瘩。再分配层(RDL),临时载体的晶片被释放,然后丁包分离。

FOWLP技术挑战
EMC处理后,继续面临几个挑战FOWLP技术。特别是,若干过程因素发挥作用在考虑最好的焊接/脱胶方法。

首先,低温脱胶过程是关键;超出范围的温度可以负面影响堆栈压力、弯曲和模具位移行为。焊接材料的流变特性,即。,这些影响变形和流动——也很重要,因为他们可以影响这些行为,以及包地形和可靠性。减少或消除这些挑战可以导致提高收益率。

图1提供了一个概述的具体chip-first面过程用于调查使用各种版本和热塑性粘结材料。首先,临时结合和释放材料spin-coated到200毫米玻璃晶片;芯片被粘接材料;每个晶片over-molded EMC和热治愈。边界点型晶圆被机械或激光烧蚀和清洗去除残余粘接材料。评价,晶片终于特征模转变,翘曲,死对峙测量。

这个配置非常适用于调查死转变和使用各种版本和热塑性粘结材料变形。组合使用不同的电磁兼容产品和航空公司与不同的热膨胀系数(cte)也包括在内。成功对然后接受载体释放使用机械或激光烧蚀释放技术。这篇文章总结了评价的各种因素及其影响chip-first,脸朝下的方法,考虑到这些挑战。


图1所示。Chip-first面FOWLP流程评价粘接材料的选择。

一旦实现汇编优化,各种版本的材料和过程被添加在评估它们对模具位移的影响,晶片翘曲和死亡对峙。其中包括机械和激光释放材料和焊接材料,与热释放带控制。图2提供了一个总结的数据获得在材料试验来减轻这些挑战。

死的转变
模具转移描述运动后的芯片放置在压缩成型,脱胶和冷却重新配置的晶片。由于不同ct所涉及的材料的温度曲线,结合不同的流程步骤,模具将从他们最初组装位置。除了描述效果,滑动的模具在成型可以根据模具的大小和粘附发生死亡释放磁带和EMC的流动行为和相关的部队在模具压缩成型。

死对峙
死对峙或死突出是由于收缩的环氧模具复合热治疗和压缩成型过程中。嵌入模的表面延伸高于或低于EMC表面限制多片集成和RDL缩放。

弯曲
多种环氧模具化合物是目前用于FOWLP流程。杨氏模量的性质,CTE,玻璃化转变温度(Tg)对EMC翘曲产生重大影响。可以减少薄片弯曲杨氏模量降低,CTE,增加的Tg模塑料。


图2。图表提供的摘要收集的数据对(a)死转变,(b)死对峙,(c)薄片弯曲使用几个不同的版本和粘接材料的选择。组合使用EMC 1产生最少的转变和薄片弯曲死去,而使用BrewerBOND 305材料导致最少的对峙而死。

总结
在看如何应对各种挑战与FOWLP,理想的芯片附件方案应该减少模具转移和死亡对峙。理想死附加材料应提供足够的附着力EMC晶片没有诱导基质过度扭曲,而允许一个合适的剥离过程,包括完整的残留去除。附件方案还必须生存任何热,机械和化学过程执行之前释放载体。焊接材料还必须有足够的附着力EMC材料来克服这样的压力没有债券失败。

在这项研究中,由临时更换热释放磁带粘合剂结合室温激光器或机械脱胶被成功的证明。仔细的材料和载体选择可以帮助确保低模薄片弯曲,死对峙,转移而死亡。拟议的技术使用临时发布和粘结材料可能是一个合适的过程替代热释放磁带chip-first,脸朝下FOWLP方法。

雪莱福勒是一种主要应用程序工程师布鲁尔的科学。



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