无论当其他平选项可用,多重图像在这里留下来。
最新平专家共识是,极端的紫外线(EUV)将出现在市场在未来几个月在商业上可行的形式。唯一的问题是商业生存能力的程度,它将实际成本。虽然有些争论是否残留EUV会走了,总体感觉是,最近已经取得了足够的进展,使其工作。
所以感觉的时候为什么不庆祝吗?一方面,有些人害怕一个彻头彻尾的支持只是厄运。另一方面,它的真正价值制造仍是未知的。最后,现在看来,没有人认为它将是唯一光刻选项用于复杂的设计。
事实上,当今的观点在于不同的平选项将被用于不同的芯片,根据市场和成本弹性,以及不同的层在同一芯片。的假设是,即使multipatterning-triple,四和八面体- 193 nm液浸式光刻技术可能仍然是最便宜的选择,即使它不是最快的。
设计到制造的世界这是一个戏剧性的转变,它已经很大程度上是因为EUV失踪45纳米以来每一个最后期限。与现在的插入点估计7海里,假设它实际上发生在该节点,这将意味着技术已经错过了五个流程节点。在此期间,半导体行业学到了很多新的技巧和发明了很多技术,可以补充EUV,包括自对准双重模式,litho-etch-litho-etch定向自组装,与其他替代品,如多波束直接写在地平线上。
这是一件好事。的时候EUV冲击市场时,双模式将与EUV甚至是必要的。但是多重图像已经将良好,这意味着芯片制造商将可以选择选择适合他们特定的市场动态的应用功能,包括上市时间窗口,和弹性特定芯片的成本。
对堆死,这将是关键,因为在堆死并不是所有的芯片技术将使用相同的过程。理解模式选项将在分析成本和市场机会是至关重要的,添加一个新的芯片的粒度级别。所有这些方法将基准测试速度、成本和defectivity。
清楚的是,没有一个光刻技术的解决方案将回答所有需要所有芯片制造商,和随着时间的推移,更多的选择可用不同的市场,这也不完全是坏事。这是一个行业,历史和舒适程度与技术是必不可少的,和193 nm浸技术与多重图像是历史上最有名的和测试的方法制造。
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你会惊奇地发现,193海里浸泡多重图像仍然是最快的。和多模式的EUV失败的整个目的。
[…]期待在300毫米。同时,持续的延迟推出的EUV光刻——目前落后其最初的路线图和五节点计数-迫使制造商考虑双,[…]