这将是至少两年之前EUV准备好了,并讨论更大的晶圆将停滞在那之前。
问题的晶片是否直径200毫米,300毫米,或者潜在的450毫米,大晶片大小一直由制造业经济合理。如果处理晶片的成本保持不变,但晶片包含更多的设备,那么每个设备的成本下降。进程适用于整个晶圆一次腐蚀,沉积,清洁等等——方程大多了。较大的过程室需要额外的注意过程均匀性,但在大多数情况下能够保持并最终增加吞吐量随着晶片大小的增加。
然后有光刻。自从这个行业留下掩模对准器的晶片步进和step-and-scan系统,增加设备的数量在一个晶片意味着增加曝光的数量字段,即使缩小临界尺寸需要更精确的控制重点和对齐。曝光工具因此预期更快地移动一个更大的舞台,同时提高定位精度。鉴于工程挑战,光刻工具已经非常成功地满足这些要求。
直到现在。一些人希望看到同样的wafer-per-hour吞吐量450毫米光刻,他们所期待的300毫米。与此同时,正在进行延迟推出的EUV光刻——目前5个节点原来的路线图和计数-迫使制造商考虑双,三,并最终quadruple-patterning计划延长使用寿命193 nm曝光。这是一个问题。
重复四个暴露在2.25倍的晶片面积加起来很大的吞吐量。现在,多模式方案可能会使用自对准间距器和额外曝光步骤:四模式不一定需要四个曝光每个字段。不过,在她的演讲西IMEC半导体技术论坛IMEC的高级副总裁过程技术,一个Steegen估计,如果只有193海里浸没式光刻可用7-nm节点之间需要27个面具FinFET的初始形成鳍和金属2。20海里节点,相同的部分的过程只需要13个面具。减少净光刻吞吐量-工厂瓶颈已经大幅侵蚀经济理由大晶片大小。
IMEC执行副总裁骰子游戏Deferm相当生硬的在他的评估情况。光刻技术是生产成本的重要组成部分。对于较大的晶片是经济合理的,光刻成本需要下来。450毫米晶圆要想成功,他说,EUV光刻需要兑现它长久以来所承诺的冻结成本降低。根据Steegen的分析,使用EUV对于一些风险可以减少掩码数到14日,其中6将使用EUV剩下的193 nm的光。
结果在今年的有先进光刻技术研讨会明确表示,然而,EUV仍有很长的路要走,成为商业上可行的,与现有技术相比更少得多。技术是目前针对生产在2016年早期,Deferm预计这将是2016年至少450 - mm目前陷入僵局之前发展甚至开始移动了。
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人说,“这是今年的Linux桌面”多年来,它没有来,现在不是任何桌面的一年,真的。EUV可能这样做。