执行简报:直接在得病的

半导体工程坐下来,和大卫·林校长大卫·林集团的投资咨询公司。林也多波束主席多波束为直写光刻设备启动和其他应用程序。他创立了林的研究在1980年和1985年离开作为一个员工。他在林研究董事会任职五年之后。

SE:多波束发展所谓的互补电子束光刻(CEBL)。那是什么?
林:简而言之,它是利用电子束直写只关注模式关键层。我的意思是说,图案层,门口的金属层,接触和通过使用电子束直写。所有其他的层将由传统光学光刻图案。CEBL可以用于模式关键层的线剪,以补充光学光刻技术。关键层很难与光学模式。当然,他们是最昂贵的,因为多个模式。

SE:CEBL并不需要单向或1 d布局?
林:传统上,设计是二维的。这可以非常复杂的打印在晶片上的面具以及。世界已进入所谓的1 d设计。英特尔自2007年以来一直这样做。他们领导包和其他人。记忆的人已经这样做了几代人。记忆的人有一个优势,因为非常常规的细胞结构。人花了很长时间采用的逻辑。但是没有其他办法。在这个方法中,布局可以分别分成线模式和模式。 The optical guys can do both today. They don’t need EUV or e-beam. The only problem is that the cost is mounting due to multiple patterning. E-beam lithography is a strong candidate to pattern the cuts of optically printed lines. Again, that’s a limited application, but it is very critical.

SE:有几个选项下一代光刻技术路线图(天然气凝析液),如EUV、多波束和nanoimprint。你如何看待天然气凝析液吗?
林:如你所知,ASML是一个强国。他们是成功的,我尊重他们。我们称之为模式时削减线和孔,这个问题主要是成本或所有权成本。事实上,在一天结束的时候,谁能提供最具成本效益的解决方案模式的关键层。但是我们的技术可以补充EUV以及光学。

SE定向自组装(DSA)呢?
林萎缩:DSA应用程序可能在洞。但是,已经有其他方法可用于孔收缩。他们是便宜得多,可以做这项工作。对于DSA,我不确定我看到一个令人信服的当前方法的优势。

SE行业:没有了直写电子束吗?
林:远离它。

SE:电子束直写已经存在了几十年。为什么它从来没有进入主流芯片生产?
林:在早期,我们有一个电子束书写系统。或无掩模光刻技术中打开通常被称为名为ML2。已经演变成中打开之后,在最近一段时间,名为ML2 MPPW或大规模并行像素写作。ML2写一个像素,这就是为什么它是如此缓慢。MPPW,思想是如果你可以写很多像素同时大量的梁,你可以获得一个优势的吞吐量。事实上,它提高了吞吐量,但它创造了其他问题。该系统有一个源或列。这是一个巨大的数据量以非常高的速度。如果你每小时几片,假设5到10,你的数据传输速率每秒10 tb的顺序。这是今天无法实现。 So you can have these beams writing at the same time, but the data transfer rate is an enormous bottleneck. On top of that, all pixel writing is historically very slow.

SE:你谈论坦南特定律。那是什么?
林:坦南特定律本质上捕获在一个方程的困难电子束直写进入主流。坦南特定律可以用T = R k的五次方。T是吞吐量,k是一个常数和R是决议。坦南特定律表明,吞吐量为直写光刻恶化迅速提高分辨率。当特征尺寸提高50%,吞吐量下降到3%。这就是为什么电子束直写有很多问题,从来没有进入主流的生产。

SE:多波束的架构有什么不同呢?为什么它会成功当别人没有?
林:在其他系统中,关键是列太大了。我们必须使它变小。我们必须使它小记号笔。五到六英寸高,直径约20毫米。现在,你可以把它们放在一个数组来覆盖整个晶片。对于300 mm晶圆,需要大约100列。这些都是小圆柱。列是小,多个微型列可以聚集在一个数组,覆盖整个晶片。每个列都有一个电子源,挠度/消隐组件和聚焦透镜。每一列只有一个梁。 The beam does not split.

SE吞吐量呢?
林:所有横梁模块编写独立和并行。单个模块的能力每小时5晶片,这是有利于低产量和芯片的发展。你去450 mm时,你需要更多。如果或当450毫米,我们的方法将会有相同的吞吐量为300毫米和450毫米。原因是我们的架构使我们能够覆盖整个晶片表面。利率的数据量会通过列很正常,不存在瓶颈。

SE:当你计划船系统基于技术?
林我们有客户和我们有合作伙伴。我们在一个路线图开发商业产品。我们还没准备好谈论细节。

SE光刻技术公司:为什么开始喜欢多波束的吗?这是一个艰难的业务。
林:今天,70%的总成本在一个工厂进入光刻。当我开始林的研究,这一数字仅为25%。当我看着70%的号码,我说,这是不可持续的。这必须是一个大问题对于任何工厂。所以,你们去哪里如果你想攻击这个问题?你会攻击光刻。

SE:比别人多波束有不同的策略,对吧?
林:在初期,我认为电子束直写是一个天然气凝析液。然后,我意识到这是不可能的。如果我们试图发明新事物取代旧的东西,这将是困难的。我得出的结论是,我们必须补充解,不是一个颠覆性的解决方案。

SE:你也活跃在风险资本的世界里,对吧?
林我已经参与风险资本。我有两个公司的销售在过去的两个月。我喜欢称自己为导师资本主义而不是风险投资家。例如,投资者会把我介绍给一个公司。公司资金充足,但投资者会说,我们需要像你这样的人去帮助工作的管理。当我在林的研究,我希望我有这样的导师帮助我犯更少的错误。

SE对初创企业寻找风险投资:任何建议吗?
林:有两种不同的风投。一个是传统的风险投资。他们建立了基金投资于多个小公司和多个字段。然后,企业风险投资或战略风险资本家。他们不想失去钱,当然可以。出于战略原因,他们投资于技术,将用于他们的业务。在某些情况下,传统风投们追逐下一个大事件。他们正在追逐社会媒体等等。正因为如此,有一个新的企业战略投资者和有意义的角色。也有挑战。 You need to have a lot of trust in that investor. You need to look at each individual strategic investor and evaluate them for yourself. Realistically, however, a semiconductor equipment company perhaps should not rely on traditional venture capital to support them. The traditional VC is more interested in other emerging areas.

SE:你如何看待铸造模型在进化吗?和英特尔的努力铸造业务呢?
林:现在,IDM捡铸造模型。铸造是捡IDM模型在某种意义上。他们实际上是合并两个概念。英特尔。对于铸造客户,英特尔已签署思科和阿尔特拉。这些都是不小的家伙试图想出新的产品。所以我看到英特尔与更成熟的公司合作。

SE:任何想法在半导体设备行业的状态?
林:整合将继续发生。对于一个设备公司一般来说,小公司更倾向于创新。他们可以出去。大公司会寻找那些小公司找到工作。
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