芯片结构成本;nanosheets;TFETs;red-emitting microLEDs;SAQP;光学交叉结构;加速器、超级计算机中的能量估算;模拟晶圆厂能源与安全的相互作用;多独立门控finFET;基于铁电的内存计算。
半导体工程的新技术论文图书馆这个星期。
| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| SLAC斯坦福大学和麻省理工学院 | |
| 具有先进封装技术的基于芯片架构的成本意识探索 | 加州大学圣巴巴拉分校 |
| 模拟半导体制造中的能源和安全相互作用:来自英特尔Minifab模型的见解 | 爱达荷国家实验室，德克萨斯大学奥斯汀分校，德克萨斯大学圣安东尼奥分校和乔治梅森大学 |
| 单元素单单Al单触点Si1−xGex纳米片的成分依赖性电输运 | 维也纳理工大学、约翰内斯开普勒大学、CEA-LETI和瑞士联邦材料科学与技术实验室 |
| 高压D2和H2退火对FD-SOI pTFET LFN性能的影响 | 忠南大学和韩国工业大学 |
| n极性InGaN/GaN纳米线:克服红色发光微型led的效率悬崖 | 密歇根大学 |
| 新型多增强操作门FinFET (MEOG FinFET)的特性 | 常州大学 |
| 基于PCM的可扩展相干光交叉结构的人工智能加速 | 华盛顿大学 |
| 深度学习神经网络中的贝叶斯dropout近似:分析自对齐四重模式 | IBM TJ沃森研究中心和伦斯勒理工学院 |
| 基于铁电的内存计算在超维计算中实现软件等效精度 | 圣母大学，夫琅和费光子微系统研究所，加州大学欧文分校和Technische Universität德累斯顿 |
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